[发明专利]一种新型电荷产生层以及发光器件和方法在审
申请号: | 201811389939.6 | 申请日: | 2018-11-21 |
公开(公告)号: | CN109524557A | 公开(公告)日: | 2019-03-26 |
发明(设计)人: | 肖静;殷照洋;姚远 | 申请(专利权)人: | 泰山学院 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54 |
代理公司: | 汉中市铭源专利代理事务所(普通合伙) 61235 | 代理人: | 周沛臣 |
地址: | 271000 *** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电荷产生层 发光器件 薄层 掺杂 发光器件结构 电子传输层 无机化合物 有机化合物 铟锡氧化物 苯并咪唑 传输效果 发光单元 发光效果 结构搭配 磷光发光 器件效率 器件阳极 荧光发光 金属Al 苯基 串接 叠层 串联 成功 | ||
本发明涉及叠层OLED领域,尤其涉及新型电荷产生层以及发光器件和方法。两个以上发光单元通过结构为TPBi:LiF/Al/HAT‑CN串接。所述的发光器件结构组成为ITO/F‑ELU/TPBi:LiF(3nm,6%)(3nm)/Al(2nm)/HAT‑CN(60nm)/F‑ELU/LiF/Al;ITO/P‑ELU/TPBi:LiF(3nm,6%)(3nm)/Al(2nm)/HAT‑CN(60nm)/P‑ELU/LiF/Al;ITO是铟锡氧化物作为器件阳极,F‑ELU是荧光发光单元,P‑ELU是磷光发光单元,TPBi是1,3,5‑三(1‑苯基‑1H‑苯并咪唑‑2‑基)苯,LiF是无机化合物,HAT‑CN为有机化合物。1、将LiF掺杂到TPBi中形成一个总厚度为3nm的电子传输层,采用这种掺杂方式可以提高器件的稳定性;2、金属Al薄层起到很好的传输效果,实验探究出TPBi:LiF层与Al薄层共同作用下使得器件效率更稳定,发光效果最佳;3、采用这种结构搭配可以成功实现理想的串联效果。
技术领域
本发明涉及叠层OLED领域,尤其涉及新型电荷产生层以及发光器件和方法。
背景技术
在OLED器件中,单发光单元器件的发光效率会比较低而且具有不稳定等特点。在OLED器件中,如果仅采用单发光单元的器件,要达到较高的电流效率,由于受自身材料及外界条件的限制会很难实现,而且器件性能和寿命也非常不理想。
日本山形大学的Kido教授首次提出了串联式OLED的概念,设想利用特殊的连接层,将多个发光单元串联起来。叠层OLED器件就是将两个以上发光单元通过电荷产生层(中间连接层)串联在一起,从而可以提高电流效率,延长器件寿命,提高器件亮度等。目前,常用作为发光单元之间的连接层有n型掺杂层/p型掺杂层、n型层/p型层、n型掺杂层/n型层(Bphen:Mg/MoO3、Alq3:Mg/MoO3、Bphen:CsF/HATCN)等,可以有效提高器件的性能和稳定性。但是,叠层结构的驱动电压也会随着层数的增加而增加,如何降低叠层器件的工作电压,并优化光程,从而获得高发光效率是叠层器件设计的关键。
发明内容
发明的目的:为了提供一种效果更好的新型电荷产生层以及发光器件和方法,具体目的见具体实施部分的多个实质技术效果。
为了达到如上目的,本发明采取如下技术方案:
2.一种新型电荷产生层,其特征在于,电荷产生层的结构为:TPBi:LiF/Al/HAT-CN或者TPBi:LiF/Ag/HAT-CN。
2.如权利要求1所述的一种新型电荷产生层,其特征在于,电荷产生层最佳厚度及掺杂浓度为:TPBi:LiF(3nm,6%)(3nm)/Al(2nm)/HAT-CN(60nm)。
3.新型叠层OLED发光器件,其特征在于,两个以上发光单元通过结构为TPBi:LiF/Al/HAT-CN。
4.新型叠层OLED发光器件,其特征在于,所述的发光单元的组成为:
ITO/F-ELU/TPBi:LiF(3nm,6%)(3nm)/Al(2nm)/HAT-CN(60nm)/F-ELU/LiF/Al;ITO/P-ELU/TPBi:LiF(3nm,6%)(3nm)/Al(2nm)/HAT-CN(60nm)/P-ELU/LiF/Al。ITO是铟锡氧化物作为器件阳极,F-ELU是荧光发光单元,P-ELU是磷光发光单元,TPBi是1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯,LiF是无机化合物,HAT-CN有机化合物。
5.一种提高新型叠层OLED发光器件效率的方法,其特征在于,
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择