[发明专利]一种新型电荷产生层以及发光器件和方法在审
| 申请号: | 201811389939.6 | 申请日: | 2018-11-21 |
| 公开(公告)号: | CN109524557A | 公开(公告)日: | 2019-03-26 |
| 发明(设计)人: | 肖静;殷照洋;姚远 | 申请(专利权)人: | 泰山学院 |
| 主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司: | 汉中市铭源专利代理事务所(普通合伙) 61235 | 代理人: | 周沛臣 |
| 地址: | 271000 *** | 国省代码: | 山东;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电荷产生层 发光器件 薄层 掺杂 发光器件结构 电子传输层 无机化合物 有机化合物 铟锡氧化物 苯并咪唑 传输效果 发光单元 发光效果 结构搭配 磷光发光 器件效率 器件阳极 荧光发光 金属Al 苯基 串接 叠层 串联 成功 | ||
1.一种新型电荷产生层,其特征在于,电荷产生层的结构为:TPBi:LiF/Al/HAT-CN或者TPBi:LiF/Ag/HAT-CN。
2.如权利要求1所述的一种新型电荷产生层,其特征在于,电荷产生层最佳厚度及掺杂浓度为:TPBi:LiF(3nm,6%)(3nm)/Al(2nm)/HAT-CN(60nm)。
3.新型叠层OLED发光器件,其特征在于,两个以上发光单元通过结构为TPBi:LiF/Al/HAT-CN。
4.新型叠层OLED发光器件,其特征在于,所述的发光单元的组成为:
ITO/F-ELU/TPBi:LiF(3nm,6%)(3nm)/Al(2nm)/HAT-CN(60nm)/F-ELU/LiF/Al;ITO/P-ELU/TPBi:LiF(3nm,6%)(3nm)/Al(2nm)/HAT-CN(60nm)/P-ELU/LiF/Al。ITO是铟锡氧化物作为器件阳极,F-ELU是荧光发光单元,P-ELU是磷光发光单元,TPBi是1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯,LiF是无机化合物,HAT-CN有机化合物。
5.一种提高新型叠层OLED发光器件效率的方法,其特征在于,
所述的发光单元的组成为:ITO/F-ELU/TPBi:LiF(3nm,6%)(3nm)/Al(2nm)/HAT-CN(60nm)/F-ELU/LiF/Al;ITO/P-ELU/TPBi:LiF(3nm,6%)(3nm)/Al(2nm)/HAT-CN(60nm)/P-ELU/LiF/Al。ITO是铟锡氧化物作为器件阳极,F-ELU是荧光发光单元,P-ELU是磷光发光单元,TPBi是1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯,LiF是无机化合物,HAT-CN有机化合物;
当OLED器件接通电源之后,ITO作为阳极向发光单元注入空穴,Al作为阴极向发光单元注入电子,由于叠层OLED的发光单元大于或等于两个,又由于有机材料能级间的差值,所有连接层必须具有电荷产生和分离的作用,即在电荷产生层中产生电荷并且将电子与空穴分离分别注入到相近的发光单元,以实现串联发光;
连接层中TPBi具有电子传输的特性,LiF这种材料可以作为阴极修饰层和电子注入层,在这里以它“n型层”的特性掺杂到TPBi中,使(TPBi:LiF)整体具有高效的电子传输特性;将金属铝Al薄层放到连接层中间,目的是增强器件的连通性以及加快电荷的传输速率,当TPBi:LiF/Al两层同时存在于器件结构当中时可以使器件效率达到最佳,任何一层单独使用构成器件其效果都不理想;电荷的分离区域就在HAT-CN与NPB的接触面,所以电子与空穴在接触面分离之后经电子传输层与空穴传输层分别向两侧发光区传送,最终实现本叠层器件效率翻倍的结果。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





