[发明专利]三维存储器及其形成方法

说明书

一种三维存储器及其形成方法，其中，形成方法包括：形成存储晶圆，所述存储晶圆的形成方法包括：提供第一衬底；在所述第一衬底上形成若干个NAND串；形成外围电路晶圆，所述外围电路晶圆的形成方法包括：提供第二衬底；在所述第二衬底上形成若干个外围器件；在所述外围器件上形成若干位线，所述位线位于所述外围电路晶圆的表面，并与若干所述外围器件电连接；使所述存储晶圆与外围电路晶圆连接，且若干所述位线与若干所述NAND串一一对应连接。所述方法能够减小三维存储器的制造时间。

技术领域

本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种三维存储器及其形成方法。

背景技术

快闪存储器(Flash Memory)又称闪存，闪存的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储的信息，且具有集成度高、存取速度快、易于擦除和重写等优点，因此成为非挥发性存储器的主流存储器。根据结构的不同，闪存分为非门闪存(NOR Flash Memory)和与非门闪存(NAND Flash Memory)。相比于非门闪存，与非门闪存能提供更高的单元密度，更高的存储密度，更快的写入和擦除速度。

随着平面型闪存的发展，半导体的生产工艺取得了巨大的进步。但是，目前平面型闪存的发展遇到了各种挑战：物理极限，如曝光技术极限、显影技术极限及存储电子密度极限等。在此背景下，为解决平面型闪存遇到的困难以及追求更低的单位存储单元的生产成本，3D(三维)闪存应运而生，例如：半导体结构。

然而，现有三维存储器的制造时间较长。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种三维存储器及其形成方法，以减小三维存储器的制造时间。

为解决上述技术问题，本发明提供一种三维存储器，包括：存储晶圆，所述存储晶圆包括：第一衬底；位于所述第一衬底上的若干NAND串；与所述存储晶圆连接的外围电路晶圆，所述外围电路晶圆包括：第二衬底；位于所述第二衬底上的若干外围器件；位于所述外围器件上的若干位线，所述位线位于所述外围电路晶圆的表面，位线与若干所述外围器件电连接，且若干所述位线与若干所述NAND串一一对应连接。

可选的，所述连接为键合连接。

可选的，所述键合连接为混合键合连接。

可选的，所述存储晶圆还包括：若干位于所述NAND串上的第一导电插塞，所述第一导电插塞位于所述存储晶圆的表面，若干所述位线通过所述第一导电插塞与若干所述NAND串一一对应连接。

可选的，所述外围电路晶圆还包括：若干金属互连结构，所述位线与外围器件通过所述金属互连结构电连接。

可选的，所述外围电路晶圆还包括金属互连线，所述金属互连线位于外围电路晶圆的表面；所述存储晶圆还包括第二导电插塞，所述第二导电插塞位于所述存储晶圆的表面，若干所述金属互连线与若干所述第二导电插塞一一对应连接。

可选的，所述存储晶圆还包括：若干沿所述NAND串的延伸方向间隔设置的栅极，所述NAND串穿若干所述栅极；若干第三导电插塞，与若干所述栅极的端部连接；若干所述第二导电插塞与若干所述第三导电插塞一一对应连接。

可选的，所述外围器件包括：电容、电感、双极结晶体管或者PN结构。

相应的，本发明还提供一种三维存储器的形成方法，包括：形成存储晶圆，所述存储晶圆的形成方法包括：提供第一衬底；在所述第一衬底上形成若干个NAND串；形成外围电路晶圆，所述外围电路晶圆的形成方法包括：提供第二衬底；在所述第二衬底上形成若干个外围器件；在所述外围器件上形成若干位线，所述位线位于所述外围电路晶圆的表面，并与若干所述外围器件电连接；使所述存储晶圆与外围电路晶圆连接，且所述位线与若干所述NAND串一一对应连接。

可选的，所述连接为键合连接。

可选的，所述键合连接为混合键合连接。