[发明专利]三维存储器及其形成方法

权利要求书

1.一种三维存储器的形成方法，其特征在于，包括：

形成存储晶圆，所述存储晶圆的形成方法包括：提供第一衬底；在所述第一衬底上形成若干个NAND串；

形成外围电路晶圆，所述外围电路晶圆的形成方法包括：提供第二衬底；在所述第二衬底上形成若干个外围器件；在所述外围器件上形成若干位线，所述位线位于所述外围电路晶圆的表面，并与若干所述外围器件电连接；

使所述存储晶圆与外围电路晶圆连接，且所述位线与若干所述NAND串一一对应连接。

2.如权利要求1所述的三维存储器的形成方法，其特征在于，所述连接为键合连接。

3.如权利要求2所述的三维存储器的形成方法，其特征在于，所述键合连接为混合键合连接。

4.如权利要求1所述的三维存储器的形成方法，其特征在于，所述存储晶圆的形成方法还包括：在所述NAND串上形成第一导电插塞；若干所述位线通过所述第一导电插塞与若干所述NAND串一一对应连接。

5.如权利要求4所述的三维存储器的形成方法，其特征在于，形成外围器件之后，形成位线之前，所述外围电路晶圆的形成方法还包括：在外围器件上形成若干金属互连结构；所述位线与外围器件通过所述金属互连结构电连接。

6.如权利要求5所述的三维存储器的形成方法，其特征在于，形成外围器件之后，所述外围电路晶圆的形成方法还包括：形成金属互连线，所述金属互连线位于外围电路晶圆的表面；形成NAND串之后，所述存储晶圆的形成方法还包括：形成第二导电插塞，所述第二导电插塞位于所述存储晶圆的表面，若干所述金属互连线与若干所述第二导电插塞一一对应连接。

7.如权利要求6所述的三维存储器的形成方法，其特征在于，所述存储晶圆还包括：若干沿所述NAND串的延伸方向间隔设置的栅极，所述NAND串穿过若干所述栅极；形成第二导电插塞之前，还包括：形成若干个第三导电插塞，所述第三导电插塞与若干所述栅极的端部连接；若干所述第二导电插塞与若干所述第三导电插塞一一对应连接。

8.如权利要求1所述的三维存储器的形成方法，其特征在于，所述外围器件包括：电容、电感、双极结晶体管或者PN结构。