[发明专利]一种单相时钟双边沿D触发器有效

专利信息
申请号: 201811367937.7 申请日: 2018-11-16
公开(公告)号: CN109525222B 公开(公告)日: 2022-11-04
发明(设计)人: 张春茗;王梦海 申请(专利权)人: 西安邮电大学
主分类号: H03K3/012 分类号: H03K3/012;H03K3/3562
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 徐文权
地址: 710121 陕西*** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 单相 时钟 双边 触发器
【权利要求书】:

1.一种单相时钟双边沿D触发器,其特征在于,包括上升沿触发电路(1)、下降沿触发电路(2)、第一反相器INV1、第二反相器INV2和两输入与非门电路(3);上升沿触发电路(1)与两输入与非门电路(3)连接,下降沿触发电路(2)通过第二反相器INV2连接到两输入与非门电路(3);上升沿触发电路(1)连接第一反相器INV1;

上升沿触发电路包括第一PMOS管PM1、第二PMOS管PM2、第一NMOS管NM1和第二NMOS管NM2;第一PMOS管PM1的源极与电源电压Vdd相连,栅极与时钟信号CLK相连,漏极与第一NMOS管NM1的漏极和第二NMOS管NM2的栅极均相连接;第二PMOS管PM2的源极与电源电压Vdd相连,栅极与时钟信号CLK相连,漏极与第二NMOS管NM2的漏极,第五PMOS管PM5的栅极,以及第六NMOS管NM6的栅极均相连接;第一NMOS管NM1的源极与地线Gnd相连,栅极与第一反相器INV1的输出端相连;第二NMOS管NM2的源极与地线Gnd相连;

下降沿触发电路包括第三PMOS管PM3、第四PMOS管PM4、第三NMOS管NM3和第四NMOS管NM4;第三PMOS管PM3的源极与电源电压Vdd相连,栅极与输入信号D相连,漏极与第三NMOS管NM3的漏极和第四PMOS管PM4的栅极均相连接;第四PMOS管PM4的源极与电源电压Vdd相连,漏极与第四NMOS管NM4的漏极和第二反相器INV2的输入端均相连接;第三NMOS管NM3的栅极与时钟信号CLK相连,源极与地线Gnd相连;所述第四NMOS管NM4的栅极与时钟信号CLK相连,源极与地线Gnd相连。

2.根据权利要求1所述的一种单相时钟双边沿D触发器,其特征在于,两输入与非门电路包括第五PMOS管PM5、第六PMOS管PM6、第五NMOS管NM5和第六NMOS管NM6;第五PMOS管PM5的源极与电源电压Vdd相连,栅极与第二PMOS管PM2的漏极、第二NMOS管NM2的漏极和第六NMOS管NM6的栅极均相连接,漏极与第六PMOS管PM6的漏极、第六NMOS管NM6的漏极和输出端Q均相连接;第六PMOS管PM6的源极与电源电压Vdd相连,栅极与第五NMOS管NM5的栅极和第二反相器INV2的输出端均相连接;第五NMOS管NM5的源极与地线Gnd相连,漏极与第六NMOS管NM6的源极相连。

3.根据权利要求1所述的一种单相时钟双边沿D触发器,其特征在于,第一反相器INV1的输入端与输入信号D相连,输出端与第一NMOS管NM1的栅极相连;第二反相器INV2的输入端与第四PMOS管PM4的漏极和第四NMOS管NM4的漏极均相连接,输出端与第五NMOS管NM5的栅极和第六PMOS管PM6的栅极均相连接。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安邮电大学,未经西安邮电大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811367937.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top