[发明专利]引线框架电镀银层的方法

说明书

本发明涉及一种引线框架电镀银层的方法，所述方法包括以下步骤：对引线框架基材进行电镀，得银层；以AgPrep 26L的水溶液作为电解液，对所述银层进行阴极电解，电流密度为5A/dm²‑20A/dm²；将阴极电解后的镀层泡水清洗，烘干，即得。上述方法可以在不改变银层光滑表面的同时，增加银层与胶的粘接强度，加强引线框架电镀银层表面与胶的牢固程度。

技术领域

本发明涉及集成电路电镀的技术领域，特别是涉及引线框架电镀银层的方法。

背景技术

引线框架作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合材料(金丝、铝丝、铜丝)实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，是形成电气回路的关键结构件，它起到了和外部导线连接的桥梁作用，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架，引线框架是电子信息产业中重要的基础材料。引线框架表面电镀金属层后，一般与环氧模塑料(EMC)粘接。当在引线框架表面电镀银层时，对银层结晶的细致光滑有要求，需保持金属层表面光滑的状态。但是金属层光滑状态下，很难增保持金属银层与胶的粘接强度，因此，如何在不改变银层原有结晶细致光滑表面的基础上，增加金属银层与胶表面的粘接强度，是引线框架电镀过程中急需解决的技术问题。

发明内容

基于此，本发明提供一种引线框架电镀银层的方法，该方法可以在不改变银层光滑表面的同时，增加银层与胶的粘接强度，加强引线框架电镀银层表面与胶的牢固程度。

具体技术方案为：

一种引线框架电镀银层的方法，包括以下步骤：

对引线框架基材进行电镀，得银层；

以AgPrep 26L的水溶液作为电解液，对所述银层进行阴极电解，电流密度为5A/dm²-20A/dm²；

将阴极电解后的所述银层泡水清洗，烘干，即得。

在其中一个实施例中，所述阴极电解的工艺参数包括：电解时间30s-60s，温度为40℃-50℃。

在其中一个实施例中，所述泡水清洗的时间为5s-100s。

在其中一个实施例中，所述泡水清洗的时间为45s-60s。

在其中一个实施例中，所述AgPrep 26L的水溶液中，AgPrep 26L的体积浓度为25％-75％。

在其中一个实施例中，所述电镀的工艺步骤包括：

对所述引线框架基材进行除油处理；

对除油后的所述引线框架基材进行活化处理；

于活化后的所述引线框架基材表面镀铜，得铜层；

于所述铜层上第一次镀银，得预镀银层；

于所述预镀银层上第二次镀银。

在其中一个实施例中，所述除油处理的工艺步骤包括：电流密度为2A/dm²-6A/dm²，温度为50℃-70℃。

在其中一个实施例中，所述镀铜的工艺参数包括：电流密度2A/dm²-6A/dm²。

在其中一个实施例中，所述第一次镀银的工艺参数包括：电流密度1A/dm²-2A/dm²。

在其中一个实施例中，所述第二次镀银的工艺参数包括：电流密度30A/dm²-100A/dm²。

与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：