[发明专利]基板处理装置以及电子零件的制造方法

说明书

本发明提供基板处理装置以及电子零件的制造方法，在一个腔室内具有多个处理区域的基板处理装置中，用于抑制处理区域间的气氛气体的混合。基板处理装置具有如下构造的腔室，即，该腔室设有对基板进行第一处理的第一区域和对所述基板进行第二处理的第二区域，且所述第一区域与所述第二区域之间在空间上开放，其中，所述腔室具有：第一导入口，向所述第一区域导入在所述第一处理中使用的第一气体；第二导入口，向所述第二区域导入在所述第二处理中使用的第二气体；以及排气口，设置在所述第一区域与所述第二区域的交界部或该交界部的附近。

技术领域

本发明涉及基板处理装置以及电子零件的制造方法。

背景技术

广泛利用在减压腔室内配置基板，在规定的气体的气氛下进行基板表面的处理的基板处理装置。例如，有通过溅射在基板表面进行成膜的装置、利用离子束或等离子体进行基板表面的清洗(异物去除)、蚀刻的装置等。

以往，在对一张基板实施多种处理的情况下，为了防止各个处理中的气氛气体的混合，一般采用针对每个处理使用各自的(即被完全隔离的)腔室的方法。另外，在专利文献1中公开了如下结构：在通过隔壁将两个腔室之间隔开，向一个腔室导入氩气，向另一腔室导入氩和氧的混合气体，在基板上制作金属和氧的复合化膜的装置中，通过向连通两个腔室的空间部导入比两个腔室高的气压的氩气，防止两个腔室之间的气体的混合。

[现有技术文献]

[专利文献]

专利文献1：日本特开2016-108602号公报

本发明人为了提高基板处理装置的生产量，研究了通过在一个腔室内设置前处理区域、成膜区域等多个处理区域，将基板依次搬送到各个处理区域而连续地执行多个处理的方式的装置。这种方式也被称为直列型。在直列型的装置中，为了确保基板的搬送路径，无法将处理区域彼此在空间上隔开。因此，容易产生处理区域间的气氛气体的混合，由此可能对基板处理的进行、品质等产生影响。

例如，在前处理中使用氧、氮等活性气体的情况下，如果该活性气体流入成膜区域，则存在活性气体与靶反应而使靶表面的成分变化(氧化、氮化等)的可能性。因此，在现有装置中，在将基板导入成膜区域之前需要实施充分的时间(例如几分钟以上)的预溅射，并清洗靶表面，这导致生产量的降低。

发明内容

本发明是鉴于上述实际情况而完成的，其目的在于提供一种在一个腔室内具有多个处理区域的基板处理装置中，用于抑制处理区域间的气氛气体的混合的技术。

[用于解决课题的技术方案]

本发明的第一技术方案提供一种基板处理装置，该基板处理装置具有如下构造的腔室，即，该腔室设有对基板进行第一处理的第一区域和对所述基板进行第二处理的第二区域，且所述第一区域与所述第二区域之间在空间上开放，其特征在于，所述腔室具有：第一导入口，向所述第一区域导入在所述第一处理中使用的第一气体；第二导入口，向所述第二区域导入在所述第二处理中使用的第二气体；以及排气口，设置在所述第一区域与所述第二区域的交界部或该交界部的附近。

根据该结构，由于第一区域内的气体从排气口排出，因此能够抑制第一区域内的气体流入第二区域内。另外，在第二区域内的气体也从排气口排出的情况下，能够抑制第二区域内的气体流入第一区域内。因此，能够抑制区域间的气氛气体的混合。