[发明专利]一种掩模板及其制作方法在审
申请号: | 201811360960.3 | 申请日: | 2018-11-15 |
公开(公告)号: | CN109491191A | 公开(公告)日: | 2019-03-19 |
发明(设计)人: | 叶小龙;黄执祥 | 申请(专利权)人: | 深圳市龙图光电有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00 |
代理公司: | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人: | 彭家恩;郭燕 |
地址: | 518104 广东省深圳市宝安区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阻光层 透光通孔 掩模板 产品原材料 光学透过率 基板 感光材料 最小分辨率 辐射能量 曝光系统 不透光 对准式 光衍射 透过率 透光 直射 排布 通孔 制作 照射 垂直 铺设 曝光 贯穿 申请 | ||
本申请公开了一种掩模板及其制作方法,掩模板包括:基板和阻光层;阻光层铺设在基板上;阻光层上排布有多个透光通孔,所述透光通孔沿垂直于阻光层的方向贯穿阻光层,透光通孔的孔径a为:0.8um≤a≤4um。透光通孔的孔径小于对准式曝光系统的最小分辨率,进行曝光时,透过通孔的光线不再以直射的方式照射到产品原材料上,而是以光衍射的辐射能量的形式存在于产品原材料表面的感光材料内,从而起到改变阻光层的光学透过率的效果,阻光层的透过率可以改变为0(不透光)至100%(透光)间的任意值,使得阻光层的不同部位可以具有不同的光学透过率。
技术领域
本申请涉及掩模板领域,特别涉及一种掩模板及其制作方法。
背景技术
掩膜板由表面记载着图形、文字等信息的金属层薄膜或阻光层薄膜和基板组合而成,其广泛用于IC、FPD、MEMS、光学器件等行业的模具。
传统光学掩膜版上每个区域只有0(不透光)或100%(透光)两种光学透过率,在利用掩模板生产具有多层结构的产品时,通常采用对准套刻式生产,将一个产品的总图形信息按工艺要求分成多层子图形,并将子图形制作成相对应的曝光用掩模板(有多少层子图形就有多少层掩模板),每个掩模板上都有对位标记,在生产时按一定的工艺顺序使每层子图形掩模板上的对位标记重合再进行曝光生产。
但是,在实际生产中会存在很多导致对准套刻偏差的因素,例如,每张子图形掩模板制作时环境偏差所引起的图形伸缩(例如温度而引起的图形热膨胀),每张子图形掩模板因不同设备制作而引起的设备偏差,生产产品时因不同子掩模板使用时间不同的环境偏差所引起的图形伸缩,产品生产设备的对准精度问题引起的多张子图形之间的对准偏差等等,影响了产品生产的精度,提升了废品率。
发明内容
本申请提供一种掩模板及其制作方法,解决了现有掩模板生产多层结构产品时精度低、废品率高的问题。
本申请提供一种掩模板,包括基板和阻光层;所述阻光层铺设在基板上;所述阻光层上排布有多个透光通孔,所述透光通孔沿垂直于阻光层的方向贯穿阻光层,所述透光通孔的孔径a为:0.8um≤a≤4um。
本申请提供一种掩模板的制作方法,用于制作上述的掩模板,透光通孔设置步骤:根据待生产掩模板的透光率选择透光通孔的形状、孔径和排布密度,将选择的透光通孔排布在二维平面上,形成透光通孔排布区域,透光通孔的孔径与阻光层的光学透过率成正比,透光通孔的排布密度与阻光层的光学透过率成正比;图形拟合步骤:将产品的二维轮廓图正投影到透光通孔排布区域上,产品的轮廓线将透光通孔排布区域分割,删除位于产品轮廓线外部的透光通孔和透光通孔位于产品轮廓线外的部分,得到轮廓线内填充有透光通孔的二维拟合图;曝光步骤:将二维拟合图导入到直写式光刻机中,直写式光刻机将二维拟合图曝光到掩模板的原材料上;显影步骤:通过显影液对经过曝光处理的掩模板原材料进行化学蚀刻,得到阻光层上排布有透光通孔的掩模板。
本申请的有益效果:
本申请所提供的一种掩模板中,阻光层与曝光光线接触的排布有多个透光通孔,所述透光通孔的孔径a为:0.8um≤a≤4um。透光通孔的孔径小于对准式曝光系统的最小分辨率,进行曝光时,透过通孔的光线不再以直射的方式照射到产品原材料上,而是以光衍射的辐射能量的形式存在于产品原材料表面的感光材料内,从而起到改变阻光层的光学透过率的效果,阻光层的透过率可以改变为0(不透光)至100%(透光)间的任意值,使得阻光层的不同部位可以具有不同的光学透过率,工作人员可以使用具有不同光学透过率的掩模板生产多层结构的产品,无需采用多个掩模板对准套刻生产,避免了对准套刻生产中的偏差,提升了产品生产的精度,降低了废品率,减少了曝光次数,从而节省了工序,减少了使用掩模板的张数,节约了成本。
附图说明
图1为本申请一种实施例中掩模板的正视图;
图2为本申请一种实施例中掩模板的俯视图;
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备