[发明专利]一种掩模板及其制作方法在审
| 申请号： | 201811360960.3 | 申请日： | 2018-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN109491191A | 公开（公告）日： | 2019-03-19 |
| 发明（设计）人： | 叶小龙;黄执祥 | 申请（专利权）人： | 深圳市龙图光电有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人： | 彭家恩;郭燕 |
| 地址： | 518104 广东省深圳市宝安区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阻光层 透光通孔 掩模板 产品原材料 光学透过率 基板 感光材料 最小分辨率 辐射能量 曝光系统 不透光 对准式 光衍射 透过率 透光 直射 排布 通孔 制作 照射 垂直 铺设 曝光 贯穿 申请 | ||
1.一种掩模板，其特征在于，包括：基板和阻光层；
所述阻光层铺设在基板上；
所述阻光层上排布有多个透光通孔，所述透光通孔沿垂直于阻光层的方向贯穿阻光层，所述透光通孔的孔径a为：0.8um≤a≤4um。
2.如权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述透光通孔为圆形。
3.如权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述透光通孔为环形，所述环形的环宽为透光通孔的孔径a。
4.如权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述透光通孔为等腰三角形，所述等腰三角形的高为透光通孔的孔径a。
5.如权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述透光通孔为带状，所述透光通孔的带宽为透光通孔的孔径a。
6.如权利要求5所述的掩模板，其特征在于，所述透光通孔呈波浪形延伸，所述透光通孔的带宽为透光通孔的孔径a。
7.如权利要求1-6中任一项所述的掩模板，其特征在于，所述阻光层的厚度b为：20nm≤b≤500nm。
8.如权利要求1-6中任一项所述的掩模板，其特征在于，所述基板的厚度c为：1mm≤c≤10mm。
9.如权利要求1-6中任一项所述的掩模板，其特征在于，所述基板为玻璃材质。
10.一种掩模板的制作方法，其特征在于，用于制作如权利要求1-9中任一项所述的掩模板，所述制作方法包括：
透光通孔设置步骤：根据待生产掩模板的透光率选择透光通孔的形状、孔径和排布密度，将选择的透光通孔排布在二维平面上，形成透光通孔排布区域，透光通孔的孔径与阻光层的光学透过率成正比，透光通孔的排布密度与阻光层的光学透过率成正比；
图形拟合步骤：将产品的二维轮廓图正投影到透光通孔排布区域上，产品的轮廓线将透光通孔排布区域分割，删除位于产品轮廓线外部的透光通孔和透光通孔位于产品轮廓线外的部分，得到轮廓线内填充有透光通孔的二维拟合图；
曝光步骤：将二维拟合图导入到直写式光刻机中，直写式光刻机将二维拟合图曝光到掩模板的原材料上；
显影步骤：通过显影液对经过曝光处理的掩模板原材料进行化学蚀刻，得到阻光层上排布有透光通孔的掩模板。
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G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
