[发明专利]晶圆传送盒、装载端口以及半导体移送设备在审
申请号: | 201811360312.8 | 申请日: | 2018-11-15 |
公开(公告)号: | CN111192844A | 公开(公告)日: | 2020-05-22 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 袁礼君;阚梓瑄 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 传送 装载 端口 以及 半导体 移送 设备 | ||
本发明提供一种晶圆传送盒、装载端口以及半导体移送设备,其通过在晶圆传送盒中增加氮气吹扫,减少晶圆沉积膜时产生的气体与晶圆传送盒内的氧气及水蒸气发生化学反应产生缺陷,进而影响产品良率的问题。所述晶圆传送盒被所述装载端口承载,在所述晶圆传送盒的被承载面上设置有:第一注入口,从所述装载端口的内部向所述第一注入口注入第一气体;以及第一排出口,从所述第一排出口向所述装载端口的内部排出第二气体。
技术领域
本发明涉及一种晶圆传送盒、装载端口以及半导体移送设备,具体而言,涉及一种气体吹扫晶圆传送盒、气体吹扫装载端口以及半导体移送设备。
背景技术
随着集成电路半导体集成度的增加,对各项制程的环境要求越来越高,对存放晶圆的晶圆传送盒(Front Open Unified Pod,FOUP)的清洁度要求也越来越高。
而在现有的晶圆传送盒内,晶圆(Wafer)沉积膜(Wafer Depo Film)时产生的气体(Out gassing)与大气所含有的氧气及水蒸气可能会发生化学反应,导致晶圆表面缺陷,影响产品良率。
为了解决上述问题,本发明提出一种晶圆传送盒、装载端口以及半导体移送设备,以提高晶圆传送盒内的清洁度,提高产品良率。
发明内容
发明要解决的课题
为了解决现有技术中存在的上述问题,本发明提供一种氮气吹扫晶圆传送盒、氮气吹扫装载端口以及半导体移送设备,以解决晶圆传送盒中的晶圆与周围气氛发生化学反应,产生缺陷影响产品良率的问题。
用于解决问题的方案
本发明的第一方案是一种晶圆传送盒,被装载端口承载,在所述晶圆传送盒的被承载面上设置有:
第一注入口,从所述装载端口的内部向所述第一注入口注入第一气体;以及
第一排出口,从所述第一排出口向所述装载端口的内部排出第二气体。
优选地,在所述晶圆传送盒中,
所述装载端口控制所述第一气体及所述第二气体的流量及流速。
优选地,在所述晶圆传送盒中,
所述第一气体为氮气,所述第二气体包括晶圆沉积膜时产生的气体、氧气及水蒸气中的至少一种。
优选地,在所述晶圆传送盒中,
所述第一注入口和所述第一排出口是孔或喷嘴。
优选地,在所述晶圆传送盒中,
所述第一注入口和所述第一排出口的数量的比例为3比1。
本发明的第二方案是一种装载端口,用于承载晶圆传送盒,在所述装载端口的承载面上设置有:
第二排出口,所述第二排出口向所述晶圆传送盒的内部注入第一气体;以及
第二注入口,所述第二注入口接收从所述第一排出口排出的第二气体。
优选地,在所述装载端口中,还包括:
气体控制部,控制所述第一气体及所述第二气体的流量及流速。
优选地,在所述装载端口中,
所述第一气体为氮气,所述第二气体包括晶圆沉积膜时产生的气体、氧气及水蒸气中的至少一种。
优选地,在所述装载端口中,
所述气体控制部包括氮气流量传感器、氮气泄露传感器、氧气浓度传感器和质量流量控制器中的至少一种。
优选地,在所述装载端口中,
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造