[发明专利]振荡器和包括该振荡器的存储器系统

说明书

提供一种振荡器和包括该振荡器的存储器系统。该振荡器包括依次联接的奇数个反相器，在这奇数个反相器中，最后一级反相器的输出信号被反馈为第一级反相器的输入信号，其中，所述反相器中的每一个包括：第一输入信号控制单元，所述第一输入信号控制单元被配置为将所述反相器中的每一个的输入信号延迟第一延迟时间或第二延迟时间，并输出第一延迟输入信号；第二输入信号控制单元，所述第二输入信号控制单元被配置为将所述输入信号延迟第三延迟时间或第四延迟时间，并输出第二延迟输入信号；以及信号输出单元，所述信号输出单元被配置为响应于所述第一延迟输入信号和所述第二延迟输入信号而产生输出信号。

技术领域

本公开总体涉及电子装置，更具体地，涉及一种振荡器和包括该振荡器的存储器系统。

背景技术

随着使用存储器系统作为存储介质的移动信息装置(具体地，智能电话、平板PC等)被越来越多地使用，对存储器装置的关注及其重要性都进一步增加。

随着除了使用高速处理器或多核的并行化之外的各种应用的出现，对半导体存储器系统的需求水平不仅在性能方面而且在可靠性方面持续增加。

存储器系统是使用诸如硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)或磷化铟(InP)之类的半导体实现的储存装置。存储器系统通常可分为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。易失性存储器装置是在中断电力供应时所存储的数据消失的存储器装置。易失性存储器装置的示例包括静态随机存取存储器(SRAM)、动态RAM(DRAM)、同步DRAM(SDRAM)等。非易失性存储器装置是即使在中断电力供应时也保留所存储的数据的存储器装置。非易失性存储器装置的示例包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪速存储器、相变RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、铁电式RAM(FRAM)等。闪速存储器通常分为NOR型闪速存储器和NAND型闪速存储器。

在被包括在存储器系统中的存储器装置和存储器控制器中，使用周期信号来操作内部电路。用于产生这种周期信号的装置是振荡器。当产生周期信号时，确保周期信号根据设计具有准确的周期是至关重要的。另外，振荡器消耗功率，因此，非常希望降低它们的功耗。

发明内容

本发明的实施方式提供了一种能够减少电流消耗的准确的振荡器以及包括该振荡器的存储器系统。

根据本公开的一方面，提供一种振荡器，该振荡器包括依次联接的奇数个反相器，在这奇数个反相器中，最后一级反相器的输出信号被反馈为第一级反相器的输入信号，其中，所述反相器中的每一个包括：第一输入信号控制单元，所述第一输入信号控制单元被配置为将所述反相器中的每一个的输入信号延迟第一延迟时间或第二延迟时间，并输出第一延迟输入信号；第二输入信号控制单元，所述第二输入信号控制单元被配置为将所述输入信号延迟第三延迟时间或第四延迟时间，并输出第二延迟输入信号；以及信号输出单元，所述信号输出单元被配置为响应于所述第一延迟输入信号和所述第二延迟输入信号而产生输出信号。

根据本公开的另一方面，提供一种振荡器，该振荡器包括：振荡单元，所述振荡单元包括依次联接的奇数个反相器，其中，所述反相器当中的最后一级反相器的输出信号被反馈为所述反相器当中的第一级反相器的输入信号；电源电压供应单元，所述电源电压供应单元被配置为响应于驱动信号而控制与提供给所述反相器的电源电压对应的电流；偏置单元，所述偏置单元被配置为响应于所述驱动信号而产生并输出偏置电压；以及接地电压供应单元，所述接地电压供应单元被配置为响应于所述偏置电压而控制与提供给所述反相器的接地电压对应的电流，其中，所述反相器中的每一个包括：第一输入信号控制单元，所述第一输入信号控制单元被配置为将输入信号延迟第一延迟时间或第二延迟时间，并输出第一延迟输入信号；第二输入信号控制单元，所述第二输入信号控制单元被配置为将所述输入信号延迟第三延迟时间或第四延迟时间，并输出第二延迟输入信号；以及信号输出单元，所述信号输出单元被配置为响应于所述第一延迟输入信号和所述第二延迟输入信号而产生输出信号。