[发明专利]三维存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种三维存储器，其特征在于，包括：

第一晶圆，具有第一键合面以及暴露于所述第一键合面的第一导电层；

第二晶圆，具有朝向所述第一键合面设置的第二键合面以及暴露于所述第二键合面的第二导电层；

导电凸块，位于所述第一键合面与所述第二键合面之间，用于电连接所述第一导电层与所述第二导电层，所述第一晶圆与第二晶圆至少通过所述导电凸块连接。

2.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述第一晶圆与所述第二晶圆的连接方式为键合。

3.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述导电凸块包括：

凸设于所述第一导电层表面的第一导电凸块；

凸设于所述第二导电层表面的第二导电凸块，且所述第一导电凸块与所述第二导电凸块电性接触。

4.根据权利要求3所述的三维存储器，其特征在于，所述第一导电凸块为电镀于所述第一导电层表面的第一金属球；

所述第二导电凸块为电镀于所述第二导电层表面的第二金属球。

5.根据权利要求4所述的三维存储器，其特征在于，所述第一导电层包括多个第一导电塞，所述第二导电层包括与多个第一导电塞一一对应的多个第二导电塞；

多个所述第一金属球一一电镀于多个所述第一导电塞表面；

多个所述第二金属球一一电镀于多个所述第二导电塞表面。

6.根据权利要求4所述的三维存储器，其特征在于，所述第一金属球与所述第二金属球均为铜金属球或焊球。

7.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，还包括：

填充满所述第一键合面和所述第二键合面之间间隙区域的粘合层，且所述粘合层覆盖于所述导电凸块的表面。

8.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述第一键合面与第二键合面之间存在间隙。

9.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述三维存储器为3DNAND存储器。

10.一种三维存储器的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供第一晶圆，所述第一晶圆具有第一键合面以及暴露于所述第一键合面的第一导电层；

提供第二晶圆，所述第二晶圆具有第二键合面以及暴露于所述第二键合面的第二导电层；

至少形成导电凸块于所述第一导电层表面；

至少在所述导电凸块的位置连接所述第一晶圆与所述第二晶圆，并通过所述导电凸块电连接所述第一导电层与所述第二导电层。

11.根据权利要求10所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，所述第一晶圆与所述第二晶圆的连接方式为键合。

12.根据权利要求11所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，至少形成导电凸块于所述第一导电层表面的具体步骤包括：

电镀第一金属球于暴露的所述第一导电层表面，形成所述导电凸块。

13.根据权利要求12所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，至少在所述导电凸块的位置连接所述第一晶圆与所述第二晶圆的具体步骤包括：

翻转所述第一晶圆，使得所述导电凸块朝向所述第二键合面；

键合所述导电凸块与所述第二导电层。

14.根据权利要求11所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，所述导电凸块包括第一导电凸块和第二导电凸块；所述三维存储器的制造方法包括：

电镀第一金属球于暴露的所述第一导电层表面，形成所述第一导电凸块；

电镀第二金属球于暴露的所述第二导电层表面，形成所述第二导电凸块。