[发明专利]清洁方法和成膜方法有效
申请号: | 201811346299.0 | 申请日: | 2018-11-13 |
公开(公告)号: | CN109778140B | 公开(公告)日: | 2022-07-12 |
发明(设计)人: | 冈田充弘;本山豊 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/06;C23C16/24;C23C16/42;H01L21/205 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 清洁 方法 | ||
本发明提供一种能够防止氟混入膜中的清洁方法和成膜方法。一个实施方式的清洁方法是一种执行成膜处理的成膜装置的清洁方法,在成膜处理中,在处理容器内对搭载于基板保持器具的基板形成硅膜、锗膜或硅锗膜,所述清洁方法包括清洁工序,在该清洁工序中,在将所述成膜处理之后被保管在进行了露点管理的气氛中且没有搭载所述基板的所述基板保持器具收容在所述处理容器内的状态下,向所述处理容器内供给不含氟的含卤气体,来对附着在包含所述基板保持器具的所述处理容器内的所述硅膜、所述锗膜或所述硅锗膜进行蚀刻,以将所述硅膜、所述锗膜或所述硅锗膜去除。
技术领域
本发明涉及一种清洁方法和成膜方法。
背景技术
已知一种使用晶圆舟来一并对多个基板进行热处理的立式热处理装置,该晶圆舟以能够绕规定的旋转轴进行旋转的方式设置在处理容器内,将多个基板以大致水平且沿上下方向具有规定间隔的方式进行保持。在立式热处理装置中,当反复进行热处理时,在处理容器的内壁、晶圆舟附着反应生成物。所附着的反应生成物成为微粒而浮游并附着在基板上,从而有可能引起成品率的降低。
因此,以往,进行如下的清洁:向处理容器内导入三氟化氯(ClF3)气体等含氟气体,来将附着于处理容器的内壁、晶圆舟的反应生成物去除(例如参照专利文献1)。
专利文献1:日本特开平4-157161号公报
发明内容
然而,在上述的方法中,存在以下情况:当在进行清洁之后进行成膜处理时,处理容器内残留的氟吸附在基底表面上并且混入膜中,导致器件特性降低。
因此,在本发明的一个方式中,目的在于提供一种能够防止氟附着在基底表面上以及氟混入膜中的清洁方法。
为了实现上述目的,本发明的一个方式所涉及的清洁方法是执行成膜处理的成膜装置的清洁方法,在该成膜处理中,在处理容器内对搭载于基板保持器具的基板形成硅膜、锗膜或硅锗膜,所述清洁方法包括清洁工序,在该清洁工序中,在将所述成膜处理之后被保管在进行了露点管理的气氛中且没有搭载所述基板的所述基板保持器具收容在所述处理容器内的状态下,向所述处理容器内供给不含氟的含卤气体,来对附着在包含所述基板保持器具的所述处理容器内的所述硅膜、所述锗膜或所述硅锗膜进行蚀刻,以将所述硅膜、所述锗膜或所述硅锗去除。
根据公开的清洁方法,能够防止氟混入膜中。
附图说明
图1是用于实施本发明的实施方式所涉及的清洁方法的成膜装置的一例的概要图。
图2是示出第一实施方式所涉及的成膜方法的一例的流程图。
图3是示出第二实施方式所涉及的成膜方法的一例的流程图。
1:成膜装置;10:处理容器;20:晶圆舟;22:清洁气体供给机构;W:晶圆。
具体实施方式
下面,参照附图来说明用于实施本发明的方式。此外,在本说明书和附图中,对于实质上相同的结构,通过标注相同的附图标记,来省略重复的说明。
〔成膜装置〕
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