[发明专利]清洁方法和成膜方法

权利要求书

1.一种清洁方法，是执行成膜处理的成膜装置的清洁方法，在所述成膜处理中，在处理容器内对搭载于基板保持器具的基板形成硅膜、锗膜或硅锗膜，

所述清洁方法包括清洁工序，在该清洁工序中，在将从所述成膜处理结束起直到开始进行所述清洁工序为止的期间被保管在进行了露点管理的气氛中且没有搭载所述基板的所述基板保持器具收容在所述处理容器内的状态下，向所述处理容器内供给不含氟的含卤气体，来对附着在包含所述基板保持器具的所述处理容器内的所述硅膜、所述锗膜或所述硅锗膜进行蚀刻，以将所述硅膜、所述锗膜或所述硅锗膜去除。

2.根据权利要求1所述的清洁方法，其特征在于，

每次进行所述成膜处理时执行所述清洁工序。

3.根据权利要求1所述的清洁方法，其特征在于，

在进行多次所述成膜处理之后执行所述清洁工序。

4.根据权利要求1～3中的任一项所述的清洁方法，其特征在于，

在将所述处理容器的壁面加热到300℃以上且小于700℃的温度后进行所述清洁工序。

5.根据权利要求1～3中的任一项所述的清洁方法，其特征在于，

在将所述处理容器的壁面加热到400℃以上且600℃以下的温度后进行所述清洁工序。

6.根据权利要求1～3中的任一项所述的清洁方法，其特征在于，

所述基板保持器具由碳化硅或石英形成。

7.根据权利要求1～3中的任一项所述的清洁方法，其特征在于，

所述基板保持器具将多个所述基板以大致水平且沿上下方向具有规定间隔的方式进行保持。

8.根据权利要求1～3中的任一项所述的清洁方法，其特征在于，

所述含卤气体是氯气、氯化氢气体、溴气、溴化氢气体或碘化氢气体。

9.根据权利要求1～3中的任一项所述的清洁方法，其特征在于，

所述进行了露点管理的气氛是非活性气体气氛、干燥空气气氛或真空气氛。

10.一种成膜方法，包括以下工序：

成膜工序，在处理容器内，对搭载于基板保持器具的基板形成硅膜、锗膜或硅锗膜；以及

清洁工序，在将从所述成膜工序结束起直到开始进行所述清洁工序为止的期间被保管在进行了露点管理的气氛中且没有搭载所述基板的所述基板保持器具收容在所述处理容器内的状态下，向所述处理容器内供给不含氟的含卤气体，来对附着在包含所述基板保持器具的所述处理容器内的所述硅膜、所述锗膜或所述硅锗膜进行蚀刻，以将所述硅膜、所述锗膜或所述硅锗膜去除。

11.根据权利要求10所述的成膜方法，其特征在于，

所述成膜工序和所述清洁工序交替地反复执行。

12.根据权利要求10所述的成膜方法，其特征在于，

在进行多次所述成膜工序之后执行所述清洁工序。