[发明专利]形成三维存储器的方法以及三维存储器

说明书

本发明涉及一种形成三维存储器的方法以及三维存储器。三维存储器包括阵列存储区，阵列存储区具有至少一个块存储区。块存储区包括：具有衬底和位于衬底上的堆叠层，堆叠层包括沿与衬底垂直的方向交替层叠的栅极层和介电层；间隔设置的第一栅线隙和第二栅线隙；位于第一栅线隙和第二栅线隙之间的一个或多个第三栅线隙；位于相邻的栅线隙之间的贯穿阵列阻隔结构；以及位于贯穿阵列阻隔结构沿着栅线隙延伸方向的至少一侧的虚拟沟道结构列；其中，一个或多个第三栅线隙中的至少一个第三栅线隙在对应于虚拟沟道结构列处断开。

技术领域

本发明主要涉及半导体制造方法，尤其涉及形成三维存储器的方法以及三维存储器。

背景技术

为了克服二维存储器件的限制，业界已经研发了具有三维(3D)结构的存储器件，其通过将存储器单元三维地布置在衬底之上来提高集成密度。

在例如3D NAND闪存的三维存储器件中，阵列存储区可包括一个或多个块存储区(block)。块存储区进一步可包括多个由栅线隙(Gate Line Slit,GLS)隔开的指存储区(finger)。在指存储区中设有贯穿阵列阻隔结构(Through Array Barrier,TAB)以及位于其内的贯穿阵列接触部(Through Array Contact,TAC)。随着阵列存储区中存储密度的提高，其中各个图案的间距需要进一步缩小。例如预留给栅线隙与贯穿阵列阻隔结构之间的间距需要缩小，但这可能导致栅线隙内的材料与贯穿阵列阻隔结构桥接(bridge)甚至接触。

发明内容

本发明提供一种形成三维存储器的方法以及三维存储器，可以在不增大阵列存储区尺寸的情况下扩大栅线隙与贯穿阵列阻隔结构之间的间距。

根据本发明的一个方面提供一种三维存储器，包括阵列存储区，所述阵列存储区具有至少一个块存储区。所述块存储区包括：具有衬底和位于所述衬底上的堆叠层，所述堆叠层包括沿与所述衬底垂直的方向交替层叠的栅极层和介电层；间隔设置的第一栅线隙和第二栅线隙；位于所述第一栅线隙和第二栅线隙之间的一个或多个第三栅线隙；位于相邻的栅线隙之间的贯穿阵列阻隔结构；以及位于所述贯穿阵列阻隔结构沿着栅线隙延伸方向的至少一侧的虚拟沟道结构列；其中，所述一个或多个第三栅线隙中的至少一个第三栅线隙在对应于所述虚拟沟道结构列处断开。

在本发明的一实施例中，所述至少一个第三栅线隙断开的缺口与所述虚拟沟道结构列在所述虚拟沟道结构列的排列方向上对齐。

在本发明的一实施例中，所述至少一个第三栅线隙在对应于每个虚拟沟道结构列处断开。

在本发明的一实施例中，所述至少一个第三栅线隙断开处的端部在与所述衬底平行的方向的截面为圆形或矩形。

在本发明的一实施例中，三维存储器还包括位于所述贯穿阵列阻隔结构内的贯穿阵列接触部。

在本发明的一实施例中，三维存储器还包括位于所述第一栅线隙和第二栅线隙之间的沟道孔阵列，所述沟道孔阵列被所述一个或多个第三栅线隙划分为多个指存储区。

在本发明的一实施例中，所述贯穿阵列阻隔结构在所述栅线隙延伸方向的至少一侧设置有所述沟道孔阵列，以及位于所述沟道孔阵列与贯穿阵列阻隔结构之间的所述虚拟沟道结构列。

在本发明的一实施例中，三维存储器还包括位于所述第一栅线隙和所述第二栅线隙内的绝缘层和阵列共源极。