[发明专利]形成三维存储器的方法以及三维存储器

权利要求书

1.一种三维存储器，包括阵列存储区，所述阵列存储区具有至少一个块存储区，所述块存储区包括：

具有衬底和位于所述衬底上的堆叠层，所述堆叠层包括沿与所述衬底垂直的方向交替层叠的栅极层和介电层；

间隔设置的第一栅线隙和第二栅线隙；

位于所述第一栅线隙和第二栅线隙之间的一个或多个第三栅线隙；

位于相邻的栅线隙之间的贯穿阵列阻隔结构；以及

虚拟沟道结构列，位于所述贯穿阵列阻隔结构沿着栅线隙延伸方向向外的至少一侧；

其中，所述一个或多个第三栅线隙中的至少一个第三栅线隙在对应于所述虚拟沟道结构列处断开。

2.如权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述至少一个第三栅线隙断开的缺口与所述虚拟沟道结构列在所述虚拟沟道结构列的排列方向上对齐。

3.如权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述至少一个第三栅线隙在对应于每个虚拟沟道结构列处断开。

4.如权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述至少一个第三栅线隙断开处的端部在与所述衬底平行的方向的截面为圆形或矩形。

5.如权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，还包括位于所述贯穿阵列阻隔结构内的贯穿阵列接触部。

6.如权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，还包括位于所述第一栅线隙和第二栅线隙之间的沟道孔阵列，所述沟道孔阵列被所述一个或多个第三栅线隙划分为多个指存储区。

7.如权利要求6所述的三维存储器，其特征在于，所述贯穿阵列阻隔结构在所述栅线隙延伸方向的至少一侧设置有所述沟道孔阵列，以及位于所述沟道孔阵列与贯穿阵列阻隔结构之间的所述虚拟沟道结构列。

8.如权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，还包括位于所述第一栅线隙和所述第二栅线隙内的绝缘层和阵列共源极。

9.一种形成三维存储器的方法，包括以下步骤：

提供半导体结构，所述半导体结构具有衬底以及位于所述衬底上的交替堆叠层；

形成贯穿所述交替堆叠层的虚拟沟道结构列；

在所述半导体结构上形成贯穿阵列阻隔结构，所述虚拟沟道结构列位于所述贯穿阵列阻隔结构沿着栅线隙延伸方向向外的至少一侧；以及

在所述半导体结构上形成间隔设置的第一栅线隙和第二栅线隙、以及位于所述第一栅线隙和第二栅线隙之间的一个或多个第三栅线隙，其中所述贯穿阵列阻隔结构位于相邻栅线隙之间，所述一个或多个第三栅线隙中的至少一个第三栅线隙在对应于所述虚拟沟道结构列处断开。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述至少一个第三栅线隙与所述虚拟沟道结构列在所述虚拟沟道结构列的排列方向上对齐。

11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述至少一个第三栅线隙在对应于每个虚拟沟道结构列处断开。

12.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述至少一个第三栅线隙断开处的端部在与所述衬底平行的方向的截面为圆形或矩形。

13.如权利要求9所述的方法，其特征在于，还包括形成位于所述贯穿阵列阻隔结构内的贯穿阵列接触部。

14.如权利要求9所述的方法，其特征在于，还包括在所述半导体结构上形成沟道孔阵列，所述沟道孔阵列位于所述第一栅线隙和第二栅线隙之间且被所述一个或多个第三栅线隙划分为多个指存储区。

15.如权利要求9所述的方法，其特征在于，还包括在所述第一栅线隙和所述第二栅线隙内形成绝缘层和阵列共源极。