[发明专利]一种提高多结太阳能电池少数载流子收集的方法

权利要求书

1.一种提高多结太阳能电池少数载流子收集的方法，其特征在于：该方法是在砷化镓多结太阳能电池的其中一个子电池或多个子电池的背场与基区之间增设应变结构量子阱，关键在于将具有刚性的GaInNAs材料与AlGaInP应用于应变结构的量子阱，将电子和空穴存储于量子阱内，以提高少数载流子收集效率，同时过滤位错缺陷，其中，所述量子阱的阱和垒的材料光学带隙与基区带隙有关，厚度由少子扩散长度决定，晶格常数与毗邻材料失配不高于5％；在背场与基区之间增设的应变结构量子阱的阱材料光学带隙低于基区材料光学带隙，但不超过1eV，垒材料的光学带隙等于或低于基区材料带隙，量子阱整体厚度小于电子扩散长度Ln，Ln在微米量级。

2.根据权利要求1所述的一种提高多结太阳能电池少数载流子收集的方法，其特征在于：所述应变结构量子阱的阱、垒晶格常数差不超过5％。

3.根据权利要求1所述的一种提高多结太阳能电池少数载流子收集的方法，其特征在于：所述应变结构量子阱的材料，在带隙选择允许的前提下选择含氮原子或铝原子的材料。