[发明专利]一种大尺寸单晶金刚石的制备方法在审
| 申请号： | 201811342144.X | 申请日： | 2018-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN109518272A | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长沙创恒机械设备有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B29/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 410000 湖南省长沙市长沙经济技术*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 大尺寸单晶 单晶金刚石 微波谐振腔 金刚石 电离 解离 制备 激光 腔内 等离子体 混合反应气体 电场作用 活性基团 快速生长 浓度增加 气体分子 微波能量 吸收能量 激光器 氢气 生长 甲烷 衬底 光强 碳氢 | ||
1.一种大尺寸单晶金刚石的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
步骤10，对基片采用预设方式进行预处理；
步骤20，对金刚石衬底进行预处理；
步骤30，将进行预处理后的金刚石衬底以及基片安装到预设位置；
步骤40，对腔室进行洗气处理，并在洗气后进行抽真空处理；
步骤50，向激光解离腔中通入含有碳源的气体进行电离；
步骤60，在基片台和喷头之间施加电场；
步骤70，然后将电离后的气体通入所述微波谐振腔中进行微波等离子体化学气相沉积，在基片上生长单晶金刚石。
2.根据权利要求1所述的大尺寸单晶金刚石的制备方法，其特征在于，所述步骤10中采用预设方式对基片进行预处理的步骤为：对基片进行抛光处理使基片表面平整化。
3.根据权利要求1所述的大尺寸单晶金刚石的制备方法，其特征在于，所述步骤20中为对金刚石衬底进行抛光预处理，以使金刚石表面平整化。
4.根据权利要求1所述的大尺寸单晶金刚石的制备方法，其特征在于，通过步骤40进行抽真空后的压强为5.6×10-4~6.4×10-4。
5.根据权利要求1所述的大尺寸单晶金刚石的制备方法，其特征在于，所述步骤50中的碳源为CH4。
6.根据权利要求1所述的大尺寸单晶金刚石的制备方法，其特征在于，所述步骤50中射入所述激光解离腔内的激光的脉宽为50～100fs。
7.根据权利要求1所述的大尺寸单晶金刚石的制备方法，其特征在于，所述步骤60中在所述基片台与所述喷头之间施加的所述电场的强度为300～500V/m。
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