[发明专利]显示装置、透明OLED阵列基板及其制作方法在审
申请号: | 201811340719.4 | 申请日: | 2018-11-12 |
公开(公告)号: | CN109449188A | 公开(公告)日: | 2019-03-08 |
发明(设计)人: | 宋振;王国英 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/12;H01L29/786;H01L21/77 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 袁礼君;阚梓瑄 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 源层 金属遮光层 层间介电层 驱动晶体管 缓冲层 电容 基板 电极层 透明 显示均匀性 分离设置 显示效果 显示装置 相对设置 像素电容 电极 电容区 减小 雾度 制作 | ||
本发明涉及显示技术领域,提出一种透明OLED阵列基板,该透明OLED阵列基板包括驱动晶体管、金属遮光层、缓冲层、有源层、层间介电层和电极层。金属遮光层包括位于驱动晶体管底部第一金属遮光层和位于电容区作为电容其中一个电极的第二金属遮光层;缓冲层设于金属遮光层之上;有源层设于缓冲层之上,且包括驱动晶体管的第一有源层和与第二金属遮光层相对设置的第二有源层,第一有源层和第二有源层分离设置,第二有源层与第二金属遮光层形成第一电容;层间介电层设于有源层之上;电极层设于层间介电层之上与第二有源层相对的区域,并与第二有源层形成第二电容。增大像素电容,提升显示均匀性,减小了金属遮光层面积,降低了雾度,提升了显示效果。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种透明OLED阵列基板、该透明OLED阵列基板的制作方法以及安装该透明OLED阵列基板的显示装置。
背景技术
随着显示技术的飞速发展,人们对显示技术的要求也越来越高。
现有技术中,在提高面板透明度、提升显示效果时,会出现增加面板的透明度和增加像素电容值以降低显示亮度不均匀相互矛盾的问题;还会出现透明显示面板内存在的大的反光遮光金属会增加雾度,会降低显示效果的不足。
因此,有必要研究一种新的透明OLED阵列基板、一种透明OLED阵列基板、该透明OLED阵列基板的制作方法以及安装该透明OLED阵列基板的显示装置。
所述背景技术部分公开的上述信息仅用于加强对本发明的背景的理解,因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本发明的目的在于克服上述现有技术中的增加电容和增加透明区域面积相互矛盾的不足,提供一种能够增加电容且增加透明区域面积的透明OLED阵列基板、一种透明OLED阵列基板、该透明OLED阵列基板的制作方法以及安装该透明OLED阵列基板的显示装置。
本发明的额外方面和优点将部分地在下面的描述中阐述,并且部分地将从描述中变得显然,或者可以通过本发明的实践而习得。
根据本发明的一个方面,一种透明OLED阵列基板,包括:
驱动晶体管;
金属遮光层,包括位于所述驱动晶体管底部用于遮挡照射驱动晶体管光线的第一金属遮光层和位于电容区作为电容的其中一个电极的第二金属遮光层,所述第一金属遮光层和第二金属遮光层分离设置;
缓冲层,设于所述金属遮光层之上;
有源层,设于所述缓冲层之上,且包括驱动晶体管区的第一有源层和与所述第二金属遮光层相对设置的第二有源层,所述第一有源层和第二有源层分离设置,所述第二有源层与所述第二金属遮光层形成第一电容;
层间介电层,设于所述有源层之上;
电极层,设于所述层间介电层之上与所述第二有源层相对的区域,并与所述第二有源层形成第二电容。
在本公开的一种示例性实施例中,所述缓冲层上设置有连通至所述第二金属遮光层的第一通孔,所述层间介电层上设置有与所述第一通孔连通的第二通孔,所述电极层贯穿所述第一通孔以及所述第二通孔与所述第二金属遮光层连接。
在本公开的一种示例性实施例中,所述层间介电层上设置有连通至所述第二有源层的第三通孔,所述驱动晶体管的源极通过所述第三通孔与所述第二有源层连接。
在本公开的一种示例性实施例中,所述第一有源层包括:
正对驱动晶体管栅极的半导体部;
第一导体部,自所述半导体部延伸至靠近所述电容区的一侧;
第二导体部,自所述半导体部延伸至远离所述电容区的一侧。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811340719.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的