[发明专利]显示装置、透明OLED阵列基板及其制作方法在审
申请号: | 201811340719.4 | 申请日: | 2018-11-12 |
公开(公告)号: | CN109449188A | 公开(公告)日: | 2019-03-08 |
发明(设计)人: | 宋振;王国英 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/12;H01L29/786;H01L21/77 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 袁礼君;阚梓瑄 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 源层 金属遮光层 层间介电层 驱动晶体管 缓冲层 电容 基板 电极层 透明 显示均匀性 分离设置 显示效果 显示装置 相对设置 像素电容 电极 电容区 减小 雾度 制作 | ||
1.一种透明OLED阵列基板,其特征在于,包括:
驱动晶体管;
金属遮光层,包括位于所述驱动晶体管底部用于遮挡照射驱动晶体管光线的第一金属遮光层和位于电容区作为电容的其中一个电极的第二金属遮光层,所述第一金属遮光层和第二金属遮光层分离设置;
缓冲层,设于所述金属遮光层之上;
有源层,设于所述缓冲层之上,且包括驱动晶体管区的第一有源层和与所述第二金属遮光层相对设置的第二有源层,所述第一有源层和第二有源层分离设置,所述第二有源层与所述第二金属遮光层形成第一电容;
层间介电层,设于所述有源层之上;
电极层,设于所述层间介电层之上与所述第二有源层相对的区域,并与所述第二有源层形成第二电容。
2.根据权利要求1所述的透明OLED阵列基板,其特征在于,所述缓冲层上设置有连通至所述第二金属遮光层的第一通孔,所述层间介电层上设置有与所述第一通孔连通的第二通孔,所述电极层贯穿所述第一通孔以及所述第二通孔与所述第二金属遮光层连接。
3.根据权利要求1所述的透明OLED阵列基板,其特征在于,所述层间介电层上设置有连通至所述第二有源层的第三通孔,所述驱动晶体管的源极通过所述第三通孔与所述第二有源层连接。
4.根据权利要求1所述的透明OLED阵列基板,其特征在于,所述第一有源层包括:
正对驱动晶体管栅极的半导体部;
第一导体部,自所述半导体部延伸至靠近所述电容区的一侧;
第二导体部,自所述半导体部延伸至远离所述电容区的一侧。
5.根据权利要求4所述的透明OLED阵列基板,其特征在于,所述缓冲层上设置有第一过孔,所述第一导体部通过所述第一过孔与所述第一金属遮光层连接。
6.根据权利要求5所述的透明OLED阵列基板,其特征在于,所述层间介电层上设置有连通至所述第一导体部的第二过孔,以及连通至所述第二导体部的第三过孔,所述驱动晶体管的源极通过所述第二过孔与所述第一导体部连接,漏级通过所述第三过孔与所述第二导体部连接。
7.一种显示装置,其特征在于,包括:
权利要求1~6任意一项所述的透明OLED阵列基板。
8.一种透明OLED阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:
形成金属遮光层,所述金属遮光层包括位于驱动晶体管底部用于遮挡照射所述驱动晶体管光线的第一金属遮光层和位于电容区作为电容的其中一个电极的第二金属遮光层,所述第一金属遮光层和第二金属遮光层分离设置;
在所述金属遮光层之上形成缓冲层;
在所述缓冲层之上形成有源层,所述有源层包括所述驱动晶体管的第一有源层和与所述第二金属遮光层相对设置的第二有源层,所述第一有源层和第二有源层分离设置,所述第二有源层与所述第二金属遮光层形成第一电容;
在所述有源层之上形成层间介电层以及所述驱动晶体管的栅极、源极和漏极;
在所述层间介电层之上与所述第二有源层相对的区域形成电极层,所述电极层与所述第二有源层形成第二电容。
9.根据权利要求8所述的透明OLED阵列基板的制作方法,其特征在于,形成所述缓冲层后在所述缓冲层上形成连通至所述第二金属遮光层的第一通孔;
形成所述层间介电层后在所述层间介电层上形成与所述第一通孔连通的第二通孔,所述电极层贯穿所述第一通孔以及所述第二通孔与所述第二金属遮光层连接。
10.根据权利要求8所述的透明OLED阵列基板的制作方法,其特征在于,在形成所述层间介电层后在所述层间介电层上形成连通至所述第二有源层的第三通孔,所述源极通过所述第三通孔与所述第二有源层连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的