[发明专利]一种高分辨率OLED显示屏的制备方法在审

专利信息
申请号: 201811339886.7 申请日: 2018-11-12
公开(公告)号: CN109616586A 公开(公告)日: 2019-04-12
发明(设计)人: 彭俊彪;穆兰;江从彪;王娟红;罗宇;黎佳立;王坚 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56;H01L27/32
代理公司: 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 代理人: 陈智英
地址: 510640 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 制备 像素结构层 功能层 隔离结构 像素 背电极 衬底电极 高分辨率 衬底 电喷 应用前景广阔 有机电致发光 工艺成本 平板显示 优化器件 发光层 分辨率 壁围 打印
【权利要求书】:

1.一种高分辨率OLED显示屏的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:

(1)在衬底的衬底电极上设置像素结构层,所述像素结构层包括像素壁和凹槽,所述凹槽以衬底电极和衬底为底,其由像素壁围成;

(2)或者在像素结构层的像素壁上制备隔离结构层;

(3)在像素结构层的凹槽中制备功能层;

(4)在隔离结构层和功能层上制备背电极或者在未制备隔离结构层的像素壁上和功能层上制备背电极;

所述像素结构层、隔离结构层、功能层和背电极中一种以上采用电喷印技术进行制备;所述功能层包括发光层。

2.根据权利要求1所述高分辨率OLED显示屏的制备方法,其特征在于:采用电喷印技术制备各层时,各层材料需配成溶液,电喷印的条件为针头内径不超过4微米,电压不超过1000V,针尖与基板距离为25~35微米,平台移动的速度为5~30mm/s。

3.根据权利要求1所述高分辨率OLED显示屏的制备方法,其特征在于:所述像素结构层为图案化像素结构层,线宽≤20微米;

所述功能层的线宽≤20微米;

所述背电极为图案化电极时,线宽≤20微米。

4.根据权利要求3所述高分辨率OLED显示屏的制备方法,其特征在于:所述像素结构层为图案化像素结构层,线宽为2~20微米;

所述功能层的线宽为2~20微米;

所述背电极为图案化电极时,线宽为2~20微米。

5.根据权利要求1所述高分辨率OLED显示屏的制备方法,其特征在于:

所述功能层还包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、电子传输层、电子注入层、阴极缓冲层中一种以上。

6.根据权利要求1所述高分辨率OLED显示屏的制备方法,其特征在于:所述发光层的材料为发光材料,发光层材料配成溶液时,溶液的浓度为20~60mg/ml;

像素结构层的材料为光固化或热固化的树脂型材料,配成溶液时,溶液的浓度为10-50mg/ml;

所述背电极的材料为金属材料或导电金属氧化物,配成导电墨水时,浓度为10-60mg/ml。

7.根据权利要求1所述高分辨率OLED显示屏的制备方法,其特征在于:像素结构层、隔离结构层、功能层各层材料中当不采用电喷印制备时以溶液的形式进行旋涂制备;背电极不采用电喷印制备时,采用真空蒸镀的方法制备;

像素结构层、隔离结构层和功能层采用旋涂或电喷印后需进行加热处理,背电极采用电喷印后需进行加热处理,使得各层材料成膜。

8.根据权利要求7所述高分辨率OLED显示屏的制备方法,其特征在于:所述加热处理的温度为100~180℃,加热处理的时间为5~20min。

9.根据权利要求1所述高分辨率OLED显示屏的制备方法,其特征在于:还包括以下步骤:

在衬底上即衬底电极的对立面通过电喷印技术制备光取出膜。

10.根据权利要求9所述高分辨率OLED显示屏的制备方法,其特征在于:在衬底的表面进行疏水处理,然后在疏水处理的一面采用电喷印制备球冠状光取出膜,光取出膜的尺寸小于像素结构层中凹槽的宽度,像素结构层为阵列结构。

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