[发明专利]有机发光二极管显示装置及其制造方法

说明书

有机发光二极管显示装置及其制造方法。一种有机发光二极管(OLED)显示装置包括晶体管的有源层，该晶体管的有源层被设置在缓冲绝缘膜上。栅绝缘膜被设置在导电层上方的所述缓冲绝缘膜上并且被设置在所述有源层上。栅极被设置在所述有源层的沟道区域上方的所述栅绝缘膜上。第一连接图案被设置在导线和所述有源层上方的所述栅绝缘膜上。所述第一连接图案通过所述栅绝缘膜和所述缓冲绝缘膜经由第一连接接触孔与所述导电层连接。所述第一连接图案还通过所述栅绝缘膜经由第二连接接触孔与所述有源层连接。所述第一连接图案具有与所述栅极相同的材料。

技术领域

本公开涉及包括对应于每个像素区域的至少一个薄膜晶体管的薄膜晶体管阵列基板以及包括该薄膜晶体管阵列基板的有机发光显示装置。

背景技术

显示装置适用于诸如电视、移动电话、笔记本计算机和平板计算机这样的各种电子装置。对于显示装置的薄化、轻量化和低功耗的研究一直在继续。

显示装置的典型示例可以包括液晶显示装置(LCD)、等离子体显示装置(PDP)、场发射显示装置(FED)、电致发光显示装置(ELD)、电润湿显示装置(EWD)以及有机发光显示装置(OLED)。

显示面板可以包括彼此接合的一对基板以及设置在这一对基板之间的极化材料或发光材料。

关于这一点，所述一对基板中的一个可以是薄膜晶体管阵列基板。薄膜晶体管阵列基板具有限定在显示区域内的多个像素区域，在该显示区域中显示图像并且薄膜晶体管阵列基板驱动每个像素区域。薄膜晶体管阵列基板包括对应于每个像素区域的至少一个薄膜晶体管。

在传统的薄膜晶体管阵列基板中，薄膜晶体管包括以岛的形式存在的有源层、与该有源层的一部分交叠的栅极以及与有源层的两端对应的源极和漏极。

进一步地，为了减少从与有源层和栅极之间的交叠区域对应的沟道的泄露电流，可以将栅极设置在覆盖有源层的至少一部分的栅绝缘膜上。

在这种情况下，在形成栅极的构图处理期间，有源层的不与栅极交叠的剩余部分被暴露于构图处理。因此，在构图处理期间产生的预定量的电荷可以被充到有源层。在已经充了预定量的电荷的情况下，有源层容易发生由静电造成的过量充电爆炸。

特别地，有源层的宽度越大，充入有源层的电荷的量越大。结果，过量充电爆炸更容易发生，由此造成缺陷点。

发明内容

本公开旨在提供一种能够防止由于静电造成的有源层的过量充电爆炸的薄膜晶体管阵列基板，并且提供一种包括该薄膜晶体管阵列基板的有机发光显示装置。

本公开的目的不限于上述目的。如上面没有提及的，本公开的其它目的和优点可以从下面的说明中理解，并且从本公开的实施方式更加清楚地理解。进一步地，将容易领会的是，本公开的目标和优点可以通过如权利要求中所公开的特征及其组合来实现。

一个实施方式包括有机发光二极管(OLED)显示装置，该OLED显示装置包括：基板；导电层，该导电层被设置在所述基板上；以及缓冲绝缘膜，该缓冲绝缘膜被设置在所述导电层上。晶体管的有源层被设置在所述缓冲绝缘膜上。栅绝缘膜被设置在所述导电层上方的所述缓冲绝缘膜上并且被设置在所述有源层上。栅极被设置在所述有源层的沟道区域上方的所述栅绝缘膜上。第一连接图案被设置在导线和所述有源层上方的所述栅绝缘膜上。所述第一连接图案经由穿过所述栅绝缘膜和所述缓冲绝缘膜的第一连接接触孔与所述导电层连接。所述第一连接图案还经由穿过所述栅绝缘膜的第二连接接触孔与所述有源层连接。所述第一连接图案具有与所述栅极相同的材料。

在一个实施方式中，所述晶体管包括像素的开关晶体管，所述导电层包括用于向所述像素提供数据电压的数据线，并且所述栅极包括用于驱动所述开关晶体管的扫描线。