[发明专利]有机发光二极管显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201811332135.2 | 申请日: | 2018-11-09 |
公开(公告)号: | CN109841650B | 公开(公告)日: | 2023-07-11 |
发明(设计)人: | 崔基敏 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H10K59/131 | 分类号: | H10K59/131;H10K71/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种有机发光二极管OLED显示装置,该OLED显示装置包括:
基板;
导电层,该导电层被设置在所述基板上;
缓冲绝缘膜,该缓冲绝缘膜被设置在所述导电层上;
晶体管的有源层,该晶体管的有源层被设置在所述缓冲绝缘膜上;
栅绝缘膜,该栅绝缘膜被设置在所述导电层上方的所述缓冲绝缘膜上并且被设置在所述有源层上;
栅极,该栅极被设置在所述有源层的沟道区域上方的所述栅绝缘膜上;以及
第一连接图案,该第一连接图案被设置在导线和所述有源层上方的所述栅绝缘膜上,所述第一连接图案经由穿过所述栅绝缘膜和所述缓冲绝缘膜的第一连接接触孔与所述导电层连接,并且所述第一连接图案经由穿过所述栅绝缘膜的第二连接接触孔与所述有源层连接,所述第一连接图案具有与所述栅极相同的材料,
其中,所述第一连接图案被设置在与所述栅极所在的层相同的层上。
2.根据权利要求1所述的OLED显示装置,其中,所述晶体管包括像素的开关晶体管,其中,所述导电层包括用于向所述像素提供数据电压的数据线,并且其中,所述栅极包括用于驱动所述开关晶体管的扫描线。
3.根据权利要求2所述的OLED显示装置,所述OLED显示装置还包括:
遮光图案,该遮光图案被设置在所述基板上并且具有与所述数据线相同的材料,其中,所述开关晶体管的所述有源层和所述遮光图案二者的交叠区域分别包括所述像素的存储电容器的第一电极和第二电极,在所述第一电极和所述第二电极之间设置有所述缓冲绝缘膜。
4.根据权利要求2所述的OLED显示装置,所述OLED显示装置还包括:
驱动晶体管的有源层,该驱动晶体管的有源层被设置在所述缓冲绝缘膜上;以及
感测晶体管的有源层,该感测晶体管的有源层被设置在所述缓冲绝缘膜上,
其中,所述开关晶体管的有源层具有比所述驱动晶体管的有源层和所述感测晶体管的有源层大的面积。
5.根据权利要求2所述的OLED显示装置,所述OLED显示装置还包括:
遮光图案,该遮光图案被设置在所述基板上,其中,所述缓冲绝缘膜还被设置在所述遮光图案上,并且其中,所述栅绝缘膜还被设置在所述遮光图案上方的所述缓冲绝缘膜上;
驱动晶体管的有源层,该驱动晶体管的有源层被设置在所述缓冲绝缘膜上,其中,所述栅绝缘膜还被设置在所述驱动晶体管的所述有源层上;
所述驱动晶体管的栅极,所述驱动晶体管的所述栅极被设置在与所述驱动晶体管的所述有源层的沟道区域交叠并且与所述开关晶体管的所述有源层的漏极区域交叠的所述栅绝缘膜上,所述驱动晶体管的所述栅极经由穿过所述栅绝缘膜的栅极接触孔与所述开关晶体管的所述有源层的所述漏极区域连接;以及
第二连接图案,该第二连接图案被设置在所述栅绝缘膜上,所述第二连接图案经由穿过所述栅绝缘膜和所述缓冲绝缘膜的第三连接接触孔与所述遮光图案连接,并且所述第二连接图案经由穿过所述栅绝缘膜的第四连接接触孔与所述驱动晶体管的所述有源层的漏极区域连接。
6.根据权利要求2所述的OLED显示装置,所述OLED显示装置还包括:
基准电压线,该基准电压线被设置在所述基板上;
感测晶体管的有源层,该感测晶体管的有源层被设置在所述缓冲绝缘膜上,其中,所述栅绝缘膜还被设置在所述感测晶体管的所述有源层上;
所述栅绝缘膜上的感测线,该感测线与所述感测晶体管的所述有源层的沟道区域交叠;以及
第二连接图案,该第二连接图案被设置在所述栅绝缘膜上,所述第二连接图案经由穿过所述栅绝缘膜和所述缓冲绝缘膜的第三连接接触孔与所述基准电压线连接,并且所述第二连接图案经由穿过所述栅绝缘膜的第四连接接触孔与所述感测晶体管的所述有源层的源极区域连接。
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