[发明专利]半导体模块

权利要求书

1.一种半导体模块，其特征在于，包括：

裸片焊盘框；

半导体芯片，配置在所述裸片焊盘框的上端面上的芯片区域上，并且上端面配置有第一电极，下端面配置有第二电极；

裸片焊盘用导电性连接构件，位于所述半导体芯片的所述第二电极与所述裸片焊盘框的上端面之间，用于将所述半导体芯片的所述第二电极与所述裸片焊盘框的上端面电连接；以及

封装树脂，用于封装所述半导体芯片、所述裸片焊盘框、以及所述裸片焊盘用导电性连接构件，

其中，所述裸片焊盘框具有：

突起部，配置在所述裸片焊盘框的主体的端部的上侧并且从所述裸片焊盘框的所述主体的上端面向与所述裸片焊盘框的所述主体的上端面相平行的方向延伸，用于提高与所述封装树脂之间的密合性，

在所述突起部的前端，设置有部分位于比所述突起部的上端面更上方的锁紧部，

所述裸片焊盘框的所述突起部上设置有通过激光照射形成的一个或多个激光槽，使一个或多个所述激光槽在所述突起部的上端面上沿所述裸片焊盘框的所述主体的端部延伸。

2.根据权利要求1所述的半导体模块，其特征在于：

其中，与所述突起部的上端面上的所述激光槽所延伸的长度方向相垂直的所述激光槽的截面形状呈V字形或U字形，

所述激光槽中的第一激光槽的底部比所述第一激光槽的宽度的中心更偏向配置有所述半导体芯片的芯片区域一侧。

3.根据权利要求2所述的半导体模块，其特征在于：

其中，相对于所述突起部的上端面上形成有所述第一激光槽的槽区域的所述激光照射的方向，从穿过所述突起部的上端面上的所述槽区域的垂直线向所述锁紧部一侧倾斜。

4.根据权利要求1所述的半导体模块，其特征在于：

其中，所述突起部的上端面上的与所述激光槽所延伸的长度方向相垂直的所述激光槽的截面形状呈V字形或U字形，

所述激光槽中的第二激光槽的底部比所述第二激光槽的宽度的中心更偏向所述锁紧部一侧。

5.根据权利要求4所述的半导体模块，其特征在于：

其中，相对于所述突起部的上端面上形成有所述第二激光槽的槽区域的所述激光照射的方向，从穿过所述突起部的上端面上的所述槽区域的垂直线向配置有所述半导体芯片的芯片区域一侧倾斜。

6.根据权利要求1所述的半导体模块，其特征在于：

其中，通过所述激光照射，所述激光槽的内端面以及所述激光槽的边缘部被粗糙化，从而在所述裸片焊盘框的上端面上抑制所述裸片焊盘用导电性连接构件的流动扩展。

7.根据权利要求1所述的半导体模块，其特征在于：

其中，所述裸片焊盘框具有：第一边、一端与所述第一边相交的第二边、一端与所述第一边的另一端相交的第三边、以及一端与所述第二边的另一端相交且另一端与所述第三边相交的第四边，

所述突起部以及所述锁紧部被形成在沿第一、第二、以及第三边的区域上，并且，未被形成在沿所述第四边的区域上，

在所述裸片焊盘框的上端面上的沿所述第四边的所述区域上，形成有贯穿所述主体的，并且用于提升与所述封装树脂之间的密合性的贯穿孔，

在所述突起部的上端面上，设置有通过所述激光照射形成的所述激光槽，从而使所述激光槽沿所述裸片焊盘框的所述第一、第二、以及第三边延伸，

沿所述第四边，在形成有所述贯穿孔的所述区域与所述芯片区域之间，设置有通过激光照射形成的一个或多个追加激光槽。

8.根据权利要求7所述的半导体模块，其特征在于：

其中，所述激光槽沿所述裸片焊盘框的所述第一、第二、以及第三边连续形成，

所述追加激光槽的数量多于所述激光槽的数量。

9.根据权利要求7所述的半导体模块，其特征在于：

其中，所述激光槽与所述追加激光槽相连通，并且将配置有所述半导体芯片的所述裸片焊盘框的芯片区域的外周包围。

10.根据权利要求1所述的半导体模块，其特征在于：

其中，构成所述裸片焊盘框的导电性金属材料为：铜材、或在铜材中添加了Sn、Zn、Fe、Cr、Ni中的任意一种异种金属后的合金，所述裸片焊盘框的表面未经过电镀处理。