[发明专利]一种基质近红外长余辉荧光粉及其制备方法

说明书

本发明公开了一种基质近红外长余辉荧光粉,发光材料为SrSnO₃，采用Ho取代原Sr摩尔含量的0.5～1.5％。本发明还公开了基质近红外长余辉荧光粉的制备方法，其包括以下步骤：(1)按表达通式Sr_1‑xSnO₃:xHo³⁺，分别称取含锶的化合物原料、含锡的化合物原料及含钬的化合物原料；(2)将步骤(1)称取的化合物原料研磨混匀后在氧化性气氛下预烧；(3)将步骤(2)预烧后的样品取出，研磨混匀后在氧化性气氛下灼烧，温度为1000℃～1300℃，时间为2～7小时；即得到基质近红外长余辉荧光粉。本发明的基质近红外长余辉荧光粉，通过Ho³⁺掺杂，其余辉强度提高约8倍，余辉时间从7s增加到32s。

技术领域

本发明红外长余辉荧光材料，特别涉及一种基质近红外长余辉荧光粉及其制备方法。

背景技术

SrSnO₃具有钙钛矿型结构(ABO₃)，因为其在陶瓷介质体，气体、湿度传感器、锂离子电池负极材料和光催化剂等方面的广泛应用，越来越受到人们的重视。日本学者Mizoguchi等人发现SrSnO₃具有近红外发光，发光波段在950nm左右，这一波段在近红外生物成像等领域有潜在的应用价值。但是没有文献研究SrSnO₃的近红外长余辉发光。

发明内容

为了克服现有技术的上述缺点与不足，本发明的目的在于提供一种基质近红外长余辉荧光粉，通过Ho³⁺掺杂，其余辉强度提高约8倍，余辉时间从7s增加到32s。

本发明的另一目的在于提供一种基质近红外长余辉荧光粉的制备方法。

本发明的目的通过以下技术方案实现：

一种基质近红外长余辉荧光粉,发光材料为SrSnO₃，采用Ho取代原Sr摩尔含量的0.5～1.5％。

x＝0.010。

一种基质近红外长余辉荧光粉的制备方法，包括以下步骤：

(1)按表达通式Sr_1-xSnO₃:xHo³⁺，分别称取含锶的化合物原料、含锡的化合物原料及含钬的化合物原料；其中元素摩尔比为Sr:O:Sn:Ho＝1-x:3:1:x，其中0.5≤x<1.5％；Ho取代晶体中的Sr，x表示取代率；

(2)将步骤(1)称取的化合物原料研磨混匀后在氧化性气氛下预烧；

(3)将步骤(2)预烧后的样品取出，研磨混匀后在氧化性气氛下灼烧，温度为1000℃～1300℃，时间为2～7小时；即得到基质近红外长余辉荧光粉。

步骤(2)所述预烧，具体为：预烧温度为600～800℃，时间为2～6小时。

步骤(2)所述氧化性气氛为空气气氛或者氧气气氛。

所述含锶的化合物原料为碳酸锶、氧化锶和氢氧化锶中的任意一种。

所述含锡的化合物原料为氧化锡、氧化亚锡中的任意一种。

所述含钬的化合物原料为氧化钬。

当T＝1200℃，t＝4h，此时发光效果最佳。

与现有技术相比，本发明具有以下优点和有益效果：

(1)本发明的基质近红外长余辉荧光粉，通过Ho³⁺掺杂，将余辉强度提高约8倍，余辉时间从7s增加到32s。

(2)本发明的制备条件简单，采用高温固相法，成本低，便于量产。