[发明专利]一种基质近红外长余辉荧光粉及其制备方法在审
| 申请号： | 201811328281.8 | 申请日： | 2018-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN109294573A | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 彭明营;熊普先;李景明 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | C09K11/66 | 分类号： | C09K11/66 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 王东东 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 长余辉荧光粉 基质 化合物原料 氧化性气氛 研磨 称取 混匀 预烧 制备 发光材料 含锶 余辉 灼烧 掺杂 取出 | ||
1.一种基质近红外长余辉荧光粉,其特征在于，发光材料为SrSnO3，采用Ho取代原Sr摩尔含量的0.5～1.5％。
2.根据权利要求1所述的基质近红外长余辉荧光粉,其特征在于，x＝0.010。
3.一种基质近红外长余辉荧光粉的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)按表达通式Sr1-xSnO3:xHo3+，分别称取含锶的化合物原料、含锡的化合物原料及含钬的化合物原料；其中元素摩尔比为Sr:O:Sn:Ho＝1-x:3:1:x，其中0.5≤x<1.5％；Ho取代晶体中的Sr，x表示取代率；
(2)将步骤(1)称取的化合物原料研磨混匀后在氧化性气氛下预烧；
(3)将步骤(2)预烧后的样品取出，研磨混匀后在氧化性气氛下灼烧，温度为1000℃～1300℃，时间为2～7小时；即得到基质近红外长余辉荧光粉。
4.根据权利要求3所述的基质近红外长余辉荧光粉的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述预烧，具体为：预烧温度为600～800℃，时间为2～6小时。
5.根据权利要求3所述的基质近红外长余辉荧光粉的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述氧化性气氛为空气气氛或者氧气气氛。
6.根据权利要求3所述的基质近红外长余辉荧光粉的制备方法，其特征在于，所述含锶的化合物原料为碳酸锶、氧化锶和氢氧化锶中的任意一种。
7.根据权利要求3所述的基质近红外长余辉荧光粉的制备方法，其特征在于，所述含锡的化合物原料为氧化锡、氧化亚锡中的任意一种。
8.根据权利要求3所述的基质近红外长余辉荧光粉的制备方法，其特征在于，所述含钬的化合物原料为氧化钬。
9.根据权利要求3所述的基质近红外长余辉荧光粉的制备方法，其特征在于，T＝1200℃，t＝4h。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南理工大学，未经华南理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811328281.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
