[发明专利]图像传感器及制造图像传感器的方法

说明书

本公开涉及一种图像传感器，包括：形成在半导体衬底中的沟槽隔离结构，其中，所述沟槽隔离结构从其外层部分到内层部分依次包括沿所述半导体衬底的厚度方向延伸的第一氧化物层、氮化物层、第二氧化物层、以及半导体材料层，使得从所述半导体衬底经所述沟槽隔离结构外层部分到内层部分形成半导体‑氧化物‑氮化物‑氧化物‑半导体的结构。本公开还涉及一种制造图像传感器的方法。本公开能够减小图像传感器的暗电流。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，具体来说，涉及一种图像传感器及制造图像传感器的方法。

背景技术

CMOS图像传感器中通常会形成沟槽隔离结构(包括深沟槽隔离(DTI)结构和浅沟槽隔离(STI)结构等)。

因此，存在对新技术的需求。

发明内容

本公开的目的之一是提供一种新的图像传感器及制造图像传感器的方法。

根据本公开的第一方面，提供了一种图像传感器，包括：形成在半导体衬底中的沟槽隔离结构，其中，所述沟槽隔离结构从其外层部分到内层部分依次包括沿所述半导体衬底的厚度方向延伸的第一氧化物层、氮化物层、第二氧化物层、以及半导体材料层，使得从所述半导体衬底经所述沟槽隔离结构外层部分到内层部分形成半导体-氧化物-氮化物-氧化物-半导体的结构。

根据本公开的第二方面，提供了一种制造图像传感器的方法，包括：在半导体衬底中的沟槽中形成沟槽隔离结构，包括依次形成沿所述半导体衬底的厚度方向延伸的第一氧化物层、氮化物层、第二氧化物层和半导体材料层，以使得从所述半导体衬底经所述沟槽隔离结构外层部分到内层部分形成半导体-氧化物-氮化物-氧化物-半导体的结构。

通过以下参照附图对本公开的示例性实施例的详细描述，本公开的其它特征及其优点将会变得清楚。

附图说明

构成说明书的一部分的附图描述了本公开的实施例，并且连同说明书一起用于解释本公开的原理。

参照附图，根据下面的详细描述，可以更加清楚地理解本公开，其中：

图1是示意性地示出了现有技术中图像传感器的结构的示意图。

图2是示意性地示出了根据本公开一个或多个示例性实施例的图像传感器的结构的示意图。

图3是示意性地示出了根据本公开一个或多个示例性实施例的图像传感器的结构的示意图。

图4是示意性地示出了根据本公开一个或多个示例性实施例的图像传感器的结构的示意图。

图5是示意性地示出了根据本公开一个或多个示例性实施例的图像传感器的至少一部分的结构的示意图。

图6A至6N是分别示意性地示出了在根据本公开一个或多个示例性实施例来制造图像传感器的方法示例的一些步骤处的图像传感器的截面的示意图。

图7A至7G是分别示意性地示出了在根据本公开一个或多个示例性实施例来制造图像传感器的方法示例的一些步骤处的图像传感器的截面的示意图。

图8A至8E是分别示意性地示出了在根据本公开一个或多个示例性实施例来制造图像传感器的方法示例的一些步骤处的图像传感器的截面的示意图。

注意，在以下说明的实施方式中，有时在不同的附图之间共同使用同一附图标记来表示相同部分或具有相同功能的部分，而省略其重复说明。在一些情况中，使用相似的标号和字母表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。

为了便于理解，在附图等中所示的各结构的位置、尺寸及范围等有时不表示实际的位置、尺寸及范围等。因此，本公开并不限于附图等所公开的位置、尺寸及范围等。

具体实施方式