[发明专利]图像传感器及制造图像传感器的方法

权利要求书

1.一种图像传感器，其特征在于，包括：

形成在半导体衬底中的沟槽隔离结构，

其中，所述沟槽隔离结构从其外层部分到内层部分依次包括沿所述半导体衬底的厚度方向延伸的第一氧化物层、氮化物层、第二氧化物层、以及半导体材料层，使得从所述半导体衬底经所述沟槽隔离结构的外层部分到所述沟槽隔离结构的内层部分形成半导体-氧化物-氮化物-氧化物-半导体的结构。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述半导体衬底包括一个或多个区域，所述区域为所述沟槽隔离结构使得所述半导体衬底中的空穴在所述沟槽隔离结构的周围聚集而形成的。

3.根据权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，所述区域位于所述沟槽隔离结构的周围并被所述沟槽隔离结构覆盖，其中，所述区域中的空穴的密度高于所述半导体衬底的位于所述区域周围的部分中的空穴的密度。

4.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述沟槽隔离结构为第一沟槽隔离结构，所述第一沟槽隔离结构从所述半导体衬底的第一表面向所述半导体衬底的第二表面延伸，其中所述第二表面为与所述第一表面相对的表面，所述图像传感器还包括：

第二沟槽隔离结构，其与第一沟槽隔离结构在与图像传感器的主表面平行的平面图中具有重叠的部分，

其中，所述第一沟槽隔离结构的远离所述半导体衬底的第一表面的部分与所述第二沟槽隔离结构的远离所述半导体衬底的第二表面的部分相接触。

5.根据权利要求4所述的图像传感器，其特征在于，所述半导体材料层从所述半导体衬底的第一表面向所述半导体衬底的第二表面延伸直至穿过所述第二沟槽隔离结构并暴露于所述半导体衬底的第二表面。

6.根据权利要求5所述的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器还包括位于所述半导体衬底的第二表面的电极部，其中，所述半导体材料层与所述电极部电连接，所述电极部能够通过导电接触件电连接到金属互连层。

7.根据权利要求4所述的图像传感器，其特征在于，所述半导体衬底的第一表面靠近所述图像传感器用于接受光的表面，所述半导体衬底的第二表面远离所述图像传感器用于接受光的表面。

8.根据权利要求7所述的图像传感器，其特征在于，所述第一沟槽隔离结构的深度大于所述第二沟槽隔离结构的深度。

9.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述半导体材料层包括多晶半导体材料。

10.根据权利要求6所述的图像传感器，其特征在于，所述电极部包括多晶半导体材料。