[发明专利]LDMOS器件及其制备方法

权利要求书

1.一种LDMOS器件，其特征在于，所述LDMOS器件至少包括：

第一掺杂类型的衬底；

第二掺杂类型的漂移区，位于所述第一掺杂类型的衬底内，所述第二掺杂类型的漂移区包括第一漂移区及位于所述第一漂移区下面的第二漂移区，其中，所述第二漂移区的宽度小于所述第一漂移区的宽度，所述第二掺杂类型与所述第一掺杂类型相反；

漏极，位于所述第一漂移区内；

源极，位于所述第一掺杂类型的衬底内；

栅极结构，位于所述漏极及所述源极之间的所述第一掺杂类型的衬底表面。

2.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于：所述第二漂移区沿所述第二掺杂类型的漂移区的宽度方向分割为间隔分布的至少两个子第二漂移区。

3.根据权利要求2所述的LDMOS器件，其特征在于：相邻所述子第二漂移区之间的间距相等。

4.根据权利要求2所述的LDMOS器件，其特征在于：各所述子第二漂移区的宽度相等。

5.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于：所述第一漂移区的掺杂深度介于25μm～65μm，所述第二漂移区的掺杂深度介于5μm～25μm。

6.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于：所述第一漂移区的掺杂浓度与所述第二漂移区的掺杂浓度相同。

7.根据权利要求6所述的LDMOS器件，其特征在于：所述第二掺杂类型的漂移区的掺杂浓度介于5*10¹³/cm³～5*10¹⁵/cm³。

8.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述LDMOS器件还包括：

场氧化层，部分位于所述第二掺杂类型的漂移区中，其中，所述栅极结构的栅电极覆盖所述场氧化层的至少一部分，所述栅极结构的栅介质层与所述场氧化层接触；

第一掺杂类型的体区，位于所述第一掺杂类型的衬底内，且位于所述第二掺杂类型的漂移区远离所述漏极的一侧，所述源极位于所述第一掺杂类型的体区内。

9.一种LDMOS器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

提供第一掺杂类型的衬底；

于所述第一掺杂类型的衬底内形成第二掺杂类型的漂移区，所述第二掺杂类型的漂移区包括第一漂移区及位于所述第一漂移区下表面的第二漂移区，其中，所述第二漂移区的宽度小于所述第一漂移区的宽度；

于所述第一掺杂类型的衬底上形成栅极结构；

于所述栅极结构一侧的所述第一漂移区内形成漏极，于所述栅极结构的另一侧的所述第一掺杂类型的衬底内形成源极。

10.根据权利要求9所述的LDMOS器件的制备方法，其特征在于：所述第二漂移区沿所述第二掺杂类型的漂移区的宽度方向分割为间隔分布的至少两个子第二漂移区。

11.根据权利要求9所述的LDMOS器件的制备方法，其特征在于：形成所述第二掺杂类型的漂移区包括如下步骤：

采用离子注入工艺在所述第一掺杂类型的衬底内注入第二掺杂类型的离子；

通过推结形成所述第一漂移区；

采用离子注入工艺在所述第一漂移区下表面的所述第一掺杂类型的衬底内注入第二掺杂类型的离子；

通过推结形成所述第二漂移区。

12.根据权利要求9所述的LDMOS器件的制备方法，其特征在于：所述第一漂移区的掺杂深度介于25μm～65μm，所述第二漂移区的掺杂深度介于5μm～25μm。

13.根据权利要求9所述的LDMOS器件的制备方法，其特征在于：所述第一漂移区的掺杂浓度与所述第二漂移区的掺杂浓度相同。