[发明专利]改进反射率的光反射型红外发光二极管芯片及其制造方法

说明书

本发明涉及一种光反射型发光二极管芯片及其制造方法，更具体地，涉及一种具有改进的发高效率的光反射型红外发光二极管芯片及其制造方法。根据本发明的光反射型发光二极管芯片在芯片内部包含具有内部为空的光反射型槽的光反射层。光反射型槽将光向上部方向反射，从而提高发光二极管的光效率。

技术领域

本发明涉及一种光反射型发光二极管芯片及其制造方法，更具体地，涉及一种具有改进的反射率的光反射型红外发光二极管芯片及其制造方法。

背景技术

反射型红外发光二极管的结构是在下部基板的上侧形成反射层，在反射层的上侧具有由下部限制层、活性层及上部限制层组成的红外线发光层。所述红外线发光层上部具有光扩散。

但是，虽然反射层提高发光二极管的效率，但是实际通过反射层反射的光的一部分还向侧面方向放射的同时被衰减，由此成为降低发光二极管的效率的因素。因此需要对所述问题的解决方案。

韩国专利第1165254号中公开了通过光的散射来补偿在与下部基板粘合的过程中由于光反射物质被氧化而降低的光反射效率。发光二极管是通过在牺牲基板上生长光放射层，在光放射层上形成由不同折射率的物质组成的绝缘性散射突起，并在所述散射突起上形成金属反射层，然后与导电性基板接合来制造。

但是，从反射型发光二极管反射的光源向侧面放射而降低效率的问题仍然没有解决，因此，对能够解决所述问题的方案的需求仍然存在。

发明内容

(一)要解决的技术问题

本发明所要解决的技术问题为提供一种光反射率被提高的新结构的发光二极管芯片。

本发明所要解决的另一个技术问题为提供一种光反射率被提高的的新结构的发光二极管芯片的制造方法。

(二)技术方案

为了解决上述问题，根据本发明的发光二极管芯片的特征在于，在芯片内部包含具有内部为空的光反射型槽的光反射层。

本发明中，所述发光二极管芯片可以是包含下部电极、下部电极的上部侧的基板、所述基板上部的发光层、所述发光层上部的上部电极的发光二极管芯片。

本发明中，所述发光二极管芯片可以是放射红外线的发光二极管芯片。

本发明，所述光反射型槽优选为向前面的反射率高的阱形槽。

本发明中，所述发光二极管芯片可以向芯片的上部侧放射从发光层发光的光和从反射层反射的光。

本发明中，所述阱形槽可以是深度和宽度或直径为1～100μm的阱形槽。深度和最大宽度或直径优选为1-50μm，更优选为20-30μm。

本发明中，所述阱形槽不会在理论上受到限制，但是优选具有倾斜的侧壁，以使光源从侧壁反射之后，向上部方向放射，并且更优选具有宽度越往下越小的上宽下窄的形状。

本发明的一个实施例中，所述阱形槽具有倾斜的侧壁和底面，并具有上部宽下部窄的形状，例如，所述阱形槽可以是梯形截面的槽。

本发明的优选实施例中，所述阱形槽可以是壁面和/或底面呈曲面的曲线槽，以具有更高的反射率。例如，所述阱形槽可以是截面形成抛物线形状的曲线槽。

本发明中，所述光反射层位于发光层的下部，以使从发光层放射的光向上部再次反射，更优选地，所述光反射层可以位于通过蚀刻形成槽的下部基板的上部面。

本发明中，所述光反射层可以从Au、Ag、Al等金属中选择，优选为Au。所述光反射层可以是沉积层，并且其厚度优选为100～1000nm，更优选为300～400nm。