[发明专利]改进反射率的光反射型红外发光二极管芯片及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管芯片，其特征在于，在芯片内部包含具有内部为空的光反射型槽的光反射层。

2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述光反射型槽为曲线槽。

3.根据权利要求1或2所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述发光二极管芯片包含下部电极、所述下部电极的上部侧的基板、所述基板上部的发光层、所述发光层上部的上部电极。

4.根据权利要求1或2所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述发光二极管芯片放射红外线。

5.根据权利要求1或2所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述光反射层是在具有被蚀刻的槽的下部基板的表面涂覆光反射物质而形成。

6.根据权利要求1或2所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述光反射性物质为Au。

7.一种发光二极管芯片的制造方法，其包括以下步骤：

在牺牲基板生长包含发光层的外延层；

在下部基板的上部形成具有内部为空的光反射型曲线槽的光反射层；

粘合所述光反射层和所述外延层；及

去除所述牺牲基板。

8.根据权利要求7所述的发光二极管芯片的制造方法，其特征在于，所述光反射层是通过蚀刻所述下部基板的表面来形成曲线槽，并将光反射性物质涂覆在槽的内部和没有被蚀刻的所述下部基板的表面而形成。

9.根据权利要求7或8所述的发光二极管芯片的制造方法，其特征在于，所述光反射型槽是通过干式蚀刻、湿式蚀刻或其组合来形成。

10.一种光反射型红外发光二极管芯片，其特征在于，包含：

下部基板，蚀刻有曲线槽；

光反射层，在所述下部基板的表面以槽的内部为空的状态涂覆而形成；

下部窗口层，粘合在所述光反射层；

红外线发光层，粘合在所述下部窗口层或光反射层的表面；

上部窗口层，形成在所述红外线发光层上部；以及

上部电极和下部电极。