[发明专利]一种LED芯片封装方法及LED灯珠有效
申请号: | 201811320972.3 | 申请日: | 2018-11-07 |
公开(公告)号: | CN111162149B | 公开(公告)日: | 2022-06-10 |
发明(设计)人: | 魏冬寒;杜金晟;邢美正 | 申请(专利权)人: | 深圳市聚飞光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/50;H01L33/54 |
代理公司: | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人: | 江婷 |
地址: | 518111 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 led 芯片 封装 方法 灯珠 | ||
1.一种LED芯片封装方法,其特征在于,包括:
S3、在待封装LED芯片的出光上表面上设置氮化物荧光胶层;
S5、在预设的第一固化条件下对所述氮化物荧光胶层进行固化至半固化状态;
S6、在所述待封装LED芯片上的侧面设置挡光层,使所述挡光层的上表面不低于所述氮化物荧光胶层的上表面;
S90、在预设的第二固化条件下对所述挡光层和处于半固化状态的氮化物荧光胶层进行固化,直至所述氮化物荧光胶层和所述挡光层之间完全结合并固化。
2.如权利要求1所述的LED芯片封装方法,其特征在于,所述氮化物荧光胶层包括氮化物红色荧光胶层以及位于所述氮化物红色荧光胶层之上的氮化物绿色荧光胶层;所述S3包括:
S30、先在待封装LED芯片的出光上表面上设置氮化物红色荧光胶层;
S31、再在所述氮化物红色荧光胶层之上设置氮化物绿色荧光胶层。
3.如权利要求2所述的LED芯片封装方法,其特征在于,所述S30包括:S503、通过喷涂工艺在所述待封装LED芯片的出光上表面上喷涂氮化物红色荧光胶层;
所述S31包括:
S504、通过喷涂工艺在所述氮化物红色荧光胶层之上喷涂氮化物绿色荧光胶层。
4.如权利要求2所述的LED芯片封装方法,其特征在于,所述氮化物红色荧光胶层的厚度大于等于0.05毫米,小于等于0.15毫米。
5.如权利要求1所述的LED芯片封装方法,其特征在于,所述第一固化条件包括:在温度为80℃的环境下烘烤20分钟至30分钟;所述第二固化条件包括:在温度为150℃的环境下烘烤150分钟至200分钟。
6.如权利要求1所述的LED芯片封装方法,其特征在于,所述挡光胶层为白墙胶层,设置白墙胶层的工艺为点胶工艺或模压工艺。
7.如权利要求1-6任一项所述的LED芯片封装方法,其特征在于,所述S3之前,还包括:
S501、将至少两个待封装LED芯片按照预先设置的间隔距离排列在制备载体上;
S502、将设置有开孔的保护板放置在所述待封装LED芯片上,所述开孔的大小与位置同所述待封装LED芯片的大小与位置相对应,所述保护板的上表面不低于所述待封装LED芯片的上表面;
所述S6之前,还包括:
S505、移除放置在所述待封装LED芯片上的保护板,并在所述保护板的非开孔区域的上方存在氮化物荧光胶层时,将所述氮化物荧光胶层移除;
所述S6包括:
S507、在各所述待封装LED芯片之间的缝隙设置挡光层。
8.如权利要求7所述的LED芯片封装方法,其特征在于,所述S90之后,还包括:
S509、对各所述LED芯片之间的挡光层进行切割;
S510、移除所述制备载体得到晶片级封装LED灯珠。
9.一种LED灯珠,其特征在于,所述LED灯珠通过如权利要求1-8任一项所述的LED芯片封装方法制备得到。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市聚飞光电股份有限公司,未经深圳市聚飞光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811320972.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种电网单相接地故障判断方法
- 下一篇:一种LED发光件及其制作方法