[发明专利]一种硫掺杂氧化钴与硫、氮、氧掺杂碳原位复合电极的制备方法有效
| 申请号： | 201811320224.5 | 申请日： | 2018-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN109585860B | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 黄妞;杨柳;闫术芳;丁玉岳 | 申请（专利权）人： | 三峡大学 |
| 主分类号： | H01M4/88 | 分类号： | H01M4/88;H01M4/90 |
| 代理公司： | 宜昌市三峡专利事务所 42103 | 代理人： | 成钢 |
| 地址： | 443002 *** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 氧化钴 原位 复合 电极 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种硫掺杂氧化钴与硫、氮、氧掺杂碳原位复合电极的制备方法，其特征在于，具体制备方法为：
（1）将硝酸钴溶于去离子水中，利用电沉积在导电基底上生长片状氢氧化钴阵列，再将氢氧化钴阵列于空气中退火形成多孔、片状氧化钴阵列，所述的硝酸钴水溶液浓度为50~200 mM，电沉积时间为90~360 s，工作电极相对于饱和甘汞电极的电位为 -0.9~ -1.2 V；
（2）将溶有曲拉通Tx-100与硫脲的前躯液涂布到上述生长有氧化钴阵列的基底上，所述的前躯液中曲拉通Tx-100与溶剂的体积比为0.1~0.35，硫脲的浓度为1000~2000 mM，所述的溶剂为N,N-二甲基甲酰胺，干燥后于Ar气或N2气中500-700℃退火1~3 h，即制备得到硫掺杂氧化钴与硫、氮、氧掺杂碳原位复合电极。
2.根据权利要求1所述的硫掺杂氧化钴与硫、氮、氧掺杂碳原位复合电极的制备方法，其特征在于，所述的导电基底包括碳布、石墨纸、泡沫铜或镍中的任意一种。
3.根据权利要求1所述的硫掺杂氧化钴与硫、氮、氧掺杂碳原位复合电极的制备方法，其特征在于，所述的空气中退火的温度为300~500℃，退火时间为0.5~2 h。
4.根据权利要求1所述的硫掺杂氧化钴与硫、氮、氧掺杂碳原位复合电极的制备方法，其特征在于，所述的Ar气或N2气中600℃退火反应，退火时间为2 h。
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