[发明专利]基板处理装置、基板处理方法以及存储介质

说明书

本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。基板处理装置具备：至少一个液膜形成部，其在基板形成干燥防止用的液体的液膜；至少一个干燥处理部，其使形成有液膜的基板干燥；以及搬送机构，其从液膜形成部取出形成有液膜的基板，搬送到干燥处理部。通过搬送时间调节操作或者初始液膜厚度调节操作，使得在干燥处理部中开始干燥处理时存在于基板上的液膜的厚度处于目标范围内，其中，所述搬送时间调节操作是调节利用搬送机构将形成有液膜的基板从液膜形成部搬送到干燥处理部的搬送时间来调节构成存在于基板上的液膜的液体在基板的搬送中的挥发量的操作，所述初始液膜厚度调节操作是调节通过液膜形成部在基板上形成的液膜的厚度的操作。

技术领域

本发明涉及一种在对半导体晶圆等基板进行超临界干燥处理等干燥处理时，用于将被搬入到进行干燥处理的干燥处理部时的基板的表面所存在的保护液的液膜的厚度维持在适当的范围内的技术。

背景技术

在半导体装置的制造中，对半导体晶圆等基板进行药液清洗或湿蚀刻等液处理。伴随形成于基板表面的图案的微细化和高深宽比化，在将残留于基板的表面的液体去除的干燥工序中，更容易产生图案的倒塌。为了应对该问题，近年来逐渐采用使用超临界状态的处理流体(例如超临界CO₂)的干燥方法(例如参照专利文献1)。

液处理和超临界干燥处理在相分别的处理单元中被执行。在以下示出处理流程的一例。首先，在液处理单元内依次进行药液处理、纯水冲洗处理以及保护液替换处理。作为保护液，例如使用IPA(异丙醇)。接着，在基板的整个表面形成有保护液的液膜(桨片)的状态下，将基板从液处理单元搬送到超临界干燥处理单元，在超临界干燥处理单元内对基板实施超临界干燥处理。

在从在液处理单元内在基板形成保护液的液膜起至在超临界干燥处理单元内将保护液替换为超临界流体为止的期间，当基板的表面的图案的凹部内所存在的保护液的液膜由于挥发而消失时，存在发生图案的倒塌的风险。因此，需要通过液处理单元形成能保证在上述期间中不发生液膜的消失的厚度的保护液的液膜。另一方面，如果形成过厚的液膜，则在超临界干燥处理后，基板的表面的微粒水平劣化。

因而，需要将要形成于基板的表面的保护液的液膜的厚度设定在适当的范围内。本发明的发明人当运用收容有多个液处理单元和多个超临界干燥处理单元的基板处理装置后明确可知存在如下问题：难以将在超临界干燥处理单元内开始向基板供给超临界流体的时间点的保护液的液膜的厚度维持在适当的范围内。

专利文献1：日本特开2013-012538号公报

发明内容

发明要解决的问题

本发明的目的在于提供一种能够将被搬入到干燥处理部时的基板的表面所存在的保护液的液膜的厚度维持在适当的范围内的技术。

用于解决问题的方案

根据本发明的一个实施方式，提供一种基板处理装置，该基板处理装置具备：至少一个液膜形成部，其在基板的表面形成保护液的液膜；至少一个干燥处理部，其收容形成有所述液膜的所述基板，并使所述基板干燥；搬送机构，其从所述液膜形成部取出形成有所述液膜的所述基板，搬送到所述干燥处理部；以及控制部，其通过搬送时间调节操作或者初始液膜厚度调节操作，使得在所述干燥处理部中开始干燥处理时存在于所述基板的表面的液膜的厚度处于目标范围内，其中，所述搬送时间调节操作是调节利用所述搬送机构将所述基板从所述液膜形成部搬送到所述干燥处理部的搬送时间来调节构成存在于所述基板上的所述液膜的液体在所述基板的搬送中的挥发量的操作，所述初始液膜厚度调节操作是调节通过所述液膜形成部在所述基板上形成的所述液膜的厚度的操作。