[发明专利]一种电致发光器件的膜层分析方法有效
| 申请号: | 201811308434.2 | 申请日: | 2018-11-05 |
| 公开(公告)号: | CN109374724B | 公开(公告)日: | 2020-06-09 |
| 发明(设计)人: | 刘莹;彭于航;杜聪聪;范磊;范春芳;吴启;薛孝忠;秦浩然 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号: | G01N27/62 | 分类号: | G01N27/62;H01L51/50 |
| 代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 杨广宇 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 电致发光 器件 分析 方法 | ||
1.一种电致发光器件的膜层分析方法,所述电致发光器件包括:依次层叠的阳极层、电致发光材料层、以及含银阴极层,其特征在于,所述膜层分析方法包括:提供具有离子溅射源和气体团簇离子源的质谱仪;
利用所述离子溅射源从所述电致发光器件上剥离所述含银阴极层,得到暴露有电致发光材料层的分析样品;
利用所述气体团簇离子源对暴露的所述电致发光材料层进行分析;
所述质谱仪为飞行时间二次离子质谱仪,所述含银阴极层的成分为Mg-Ag-Yb;
在利用所述离子溅射源从所述电致发光器件上剥离所述含银阴极层的同时,通过所述飞行时间二次离子质谱仪提供信号强度-剥离时间曲线图;
根据所述信号强度-剥离时间曲线图,确定Ag元素的离子峰;
根据所述Ag元素的离子峰,确定所述含银阴极层的剥离时间;
根据所述信号强度-剥离时间曲线图,确定Yb元素的离子峰;
根据所述Yb元素的离子峰,确定所述含银阴极层已完成剥离。
2.根据权利要求1所述的电致发光器件的膜层分析方法,其特征在于,所述离子溅射源为氧气源。
3.根据权利要求1所述的电致发光器件的膜层分析方法,其特征在于,所述气体团簇离子源为氩离子团簇源。
4.根据权利要求1所述的电致发光器件的膜层分析方法,其特征在于,在利用所述离子溅射源从所述电致发光器件上剥离所述含银阴极层的同时,通过所述飞行时间二次离子质谱仪提供用于表征剥离过程的3D渲染图,通过所述3D渲染图确定所述含银阴极层的剥离时间。
5.根据权利要求1所述的电致发光器件的膜层分析方法,其特征在于,在利用所述气体团簇离子源对暴露的所述电致发光材料层进行分析时,通过所述飞行时间二次离子质谱仪提供信号强度-分析时间曲线图;
通过所述信号强度-分析时间曲线图,确定所述电致发光材料层的各膜层成分及位置。
6.根据权利要求1所述的电致发光器件的膜层分析方法,其特征在于,在利用所述气体团簇离子源对暴露的所述电致发光材料层进行分析时,通过所述飞行时间二次离子质谱仪提供用于表征分析过程的3D渲染图,通过所述3D渲染图确定所述电致发光材料层的各膜层的位置。
7.根据权利要求6所述的电致发光器件的膜层分析方法,其特征在于,在利用所述气体团簇离子源对暴露的所述电致发光材料层进行分析时,通过所述飞行时间二次离子质谱仪提供所述3D渲染图对应的元素分布图,通过所述元素分布图确定所述电致发光材料层的各膜层的元素分布。
8.根据权利要求1-7任一项所述的电致发光器件的膜层分析方法,其特征在于,所述含银阴极层的剥离面积大于或等于所述电致发光材料层的分析面积。
9.根据权利要求1所述的电致发光器件的膜层分析方法,其特征在于,所述电致发光器件还包括:层叠于所述含银阴极层上的封装层;
所述膜层分析方法还包括:在剥离所述含银阴极层之前,利用刀片去除所述封装层。
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