[发明专利]功率芯片封装结构

说明书

本发明公开一种功率芯片封装结构。功率芯片封装结构包括薄化芯片以及导电支撑材。薄化芯片具有主动侧以及相反于所述主动侧的背侧，且薄化芯片以主动侧朝向线路基板设置。导电支撑材设置于薄化芯片的背侧，以提供机械强度。导电支撑材具有面向薄化芯片的一内表面，且薄化芯片的一背侧的表面的面积与导电支撑材的内表面的面积的比值范围是由0.5至1之间。据此，可增加芯片封装结构的机械强度，以避免设置在基板上的薄化芯片，因为基板的弯折而被损坏。

技术领域

本发明涉及一种功率芯片封装结构，特别是涉及一种薄型功率芯片封装结构。

背景技术

随着便携式与穿戴式电子装置的发展，开发具有高效能、体积小、高速度、高质量及多功能性的产品成为趋势。由于利用晶圆级芯片尺寸封装(Wafer Level Chip ScalePackage,WLCSP)技术所制造的芯片尺寸封装体中，芯片的体积与封装尺寸接近，而有利于使电子装置的外形尺寸朝向微型化发展。

现有的芯片尺寸封装体通常会进一步设置于一电路板上，以电性连接于主控芯片。为了使电子装置的尺寸更进一步地缩小，用于设置芯片尺寸封装体的电路板的也越来越薄，甚至会利用可弯折或挠曲的柔性电路板来取代硬性电路板。

然而，由于厚度相对较小的硬性电路板或者是柔性电路板较容易被弯折，而现有的芯片尺寸封装体的厚度也非常薄，因此，芯片很容易因为电路板(薄型硬性电路板或者柔性电路板)弯折而破裂或损坏。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，如何避免厚度偏薄的芯片因为薄化的电路板弯折而损坏。

为了解决上述的技术问题，本发明所采用的其中一技术方案是，提供一种功率芯片封装结构。功率芯片封装结构包括一薄化芯片以及一导电支撑材。薄化芯片具有一主动侧以及一相反于主动侧的背侧。导电支撑材设置于薄化芯片的背侧。导电支撑材具有面向薄化芯片的一内表面，且薄化芯片的一背侧的表面的面积与内表面的面积的比值范围是由0.5至1。

更进一步地，功率芯片封装结构还进一步包括一导电胶层，导电胶层位于薄化芯片与导电支撑材之间，且导电支撑材通过导电胶固定于薄化芯片的背侧。

更进一步地，导电胶层为焊料层或者是含金属的胶层。

更进一步地，薄化芯片具有至少两个相互并联的功率晶体管。

更进一步地，每一功率晶体管与一二极管串联。

更进一步地，功率芯片封装结构还进一步包括：一背电极，背电极位于薄化芯片的背侧，并电性连接于两个功率晶体管的两个漏极。

更进一步地，薄化芯片的厚度范围由50μm至125μm。

更进一步地，导电支撑材的厚度至少大于或等于50μm。

本发明的有益效果在于，本发明所提供的功率芯片封装结构，其通过“设置导电支撑材在薄化芯片的背侧，且薄化芯片的一背侧的表面的面积与内表面的面积的比值范围是由0.5至1”的技术手段，可增加芯片封装结构的机械强度，以避免设置在基板上的薄化芯片，因为基板的弯折而被损坏。

为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而所提供的附图仅用于提供参考与说明，并非用来对本发明加以限制。

附图说明

图1为本发明其中一实施例的功率芯片封装结构的立体示意图。

图2为本发明其中一实施例的功率芯片封装结构的剖面示意图。

图3为本发明一实施例的功率芯片封装结构的电路示意图。

图4为本发明一实施例的功率芯片封装结构的组件的剖面示意图。

具体实施方式