[发明专利]半导体装置及其形成方法

说明书

一种半导体装置及其形成方法，该半导体装置包括半导体基板、设置于上述半导体基板中的埋藏层、设置于上述埋藏层上及上述半导体基板中的第一阱区、第二阱区、第三阱区与第四阱区。上述半导体装置亦包括设置于上述第二阱区中的源极区、设置于上述第一阱区中的漏极区、设置于上述第一阱区与上述第二阱区之上的栅极结构、以及设置于上述半导体基板中且围绕上述源极区与上述漏极区的深沟槽隔离结构。上述第二阱区围绕上述第一阱区。上述第三阱区与上述第四阱区位于上述第二阱区的相对两侧。上述深沟槽隔离结构穿过上述埋藏层。本发明可降低半导体装置的尺寸、减少或避免基板漏电流的发生，并避免或减轻闩锁效应。

技术领域

本发明实施例关于一种半导体装置，且特别有关于一种具有深沟槽隔离结构的半导体装置及其形成方法。

背景技术

半导体装置已广泛地使用于各种电子产品中，举例而言，诸如个人电脑、手机、以及数字相机等。半导体装置的制造通常是通过在半导体基板上形成绝缘层或介电层、导电层以及半导体层，接着使用光刻工艺图案化所形成的各种材料层，藉以在此半导体基板之上形成电路零件及组件。

现有的半导体装置及其制造方法大抵上可满足一般需求，然而随着装置的微型化，其并非在各方面皆令人满意。

发明内容

本发明实施例包括一种半导体装置。上述半导体装置包括半导体基板、设置于上述半导体基板中的埋藏层、设置于上述埋藏层上及上述半导体基板中的第一阱区、设置于上述埋藏层上及上述半导体基板中的第二阱区。上述第二阱区围绕上述第一阱区。上述半导体装置亦包括设置于上述埋藏层上及上述半导体基板中的第三阱区与第四阱区。上述第三阱区与上述第四阱区位于上述第二阱区的相对两侧。上述半导体装置亦包括设置于上述第二阱区中的源极区、设置于上述第一阱区中的漏极区、设置于上述第一阱区与上述第二阱区之上的栅极结构、以及设置于上述半导体基板中且围绕上述源极区与上述漏极区的深沟槽隔离结构。上述深沟槽隔离结构穿过上述埋藏层。

本发明实施例亦包括一种半导体装置。上述半导体装置包括半导体基板、设置于上述半导体基板中的埋藏层、设置于上述埋藏层上及上述半导体基板中的第一阱区、设置于上述埋藏层上及上述半导体基板中的第二阱区。上述第二阱区环绕上述第一阱区。上述半导体装置亦包括设置于上述埋藏层上及上述半导体基板中的第三阱区与第四阱区。上述第三阱区与上述第四阱区相邻于上述第二阱区，且上述第三阱区与上述第四阱区彼此分离。上述埋藏层、上述第一阱区、上述第三阱区以及上述第四阱区具有第一导电型态，上述第二阱区具有相反于上述第一导电型态的第二导电型态。上述半导体装置亦包括设置于上述第二阱区中的源极区、设置于上述第一阱区中的漏极区、设置于上述第一阱区与上述第二阱区之上的栅极结构、以及设置于上述半导体基板中且环绕上述第二阱区的深沟槽隔离结构。上述深沟槽隔离结构的底表面低于上述埋藏层的底表面。

本发明实施例亦包括一种半导体装置的形成方法。上述方法包括提供半导体基板，上述半导体基板中设置有埋藏层，上述方法亦包括于上述半导体基板中及上述埋藏层之上形成第一阱区、第二阱区、第三阱区以及第四阱区，上述第二阱区环绕上述第一阱区，上述第三阱区与上述第四阱区部分地环绕上述第二阱区，上述第三阱区与上述第四阱区彼此分离。上述埋藏层、上述第一阱区、上述第三阱区以及上述第四阱区具有第一导电型态，上述第二阱区具有相反于上述第一导电型态的第二导电型态，上述方法亦包括于上述第二阱区中形成源极区、于上述第一阱区中形成漏极区、于上述第一阱区与上述第二阱区之上形成栅极结构、以及于上述半导体基板中形成深沟槽隔离结构。

本发明实施例的半导体装置包括部分围绕源极区的多个阱区、以及围绕源极区与漏极区的深沟槽隔离结构，藉此可降低半导体装置的尺寸、减少或避免基板漏电流的发生，并避免或减轻闩锁效应。

附图说明

以下将配合所附图式详述本发明实施例。应注意的是，各种特征部件并未按照比例绘制且仅用以说明示例。事实上，器件的尺寸可能经放大或缩小，以清楚地表现出本发明实施例的技术特征。