[发明专利]半导体装置及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

一半导体基板；

一埋藏层，设置于该半导体基板中；

一第一阱区，设置于该埋藏层上及该半导体基板中；

一第二阱区，设置于该埋藏层上及该半导体基板中，其中该第二阱区围绕该第一阱区；

一第三阱区与一第四阱区，设置于该埋藏层上及该半导体基板中，其中该第三阱区与该第四阱区位于该第二阱区的相对两侧；

一源极区，设置于该第二阱区中；

一漏极区，设置于该第一阱区中；

一栅极结构，设置于该第一阱区与该第二阱区之上；以及

一深沟槽隔离结构，设置于该半导体基板中且围绕该源极区与该漏极区，其中该深沟槽隔离结构穿过该埋藏层。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中该第三阱区与该第四阱区直接接触该埋藏层。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中该埋藏层、该第一阱区、该第三阱区以及该第四阱区具有一第一导电型态，该第二阱区具有相反于该第一导电型态的一第二导电型态。

4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，其中该第一导电型态为N型，该第二导电型态为P型。

5.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，更包括：

一掺杂区，设置于该第三阱区中，其中该掺杂区具有该第一导电型态。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中该深沟槽隔离结构直接接触该第二阱区、该第三阱区以及该第四阱区。

7.一种半导体装置，其特征在于，包括：

一半导体基板；

一埋藏层，设置于该半导体基板中；

一第一阱区，设置于该埋藏层上及该半导体基板中；

一第二阱区，设置于该埋藏层上及该半导体基板中，其中该第二阱区环绕该第一阱区；

一第三阱区与一第四阱区，设置于该埋藏层上及该半导体基板中，其中该第三阱区与该第四阱区相邻于该第二阱区，且该第三阱区与该第四阱区彼此分离，其中该埋藏层、该第一阱区、该第三阱区以及该第四阱区具有一第一导电型态，该第二阱区具有相反于该第一导电型态的一第二导电型态；

一源极区，设置于该第二阱区中；

一漏极区，设置于该第一阱区中；

一栅极结构，设置于该第一阱区与该第二阱区之上；以及

一深沟槽隔离结构，设置于该半导体基板中且环绕该第二阱区，其中该深沟槽隔离结构的一底表面低于该埋藏层的一底表面。

8.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，更包括：

一第一掺杂区，设置于该第二阱区中且具有该第二导电型态，其中该源极区设置于该第一掺杂区中；以及

一第二掺杂区，设置于该第一掺杂区中且具有该第二导电型态。

9.如权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，其中该源极区直接接触该第二掺杂区。

10.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，其中该第一导电型态为N型，该第二导电型态为P型。

11.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，其中该深沟槽隔离结构直接接触该第二阱区、第三阱区以及该第四阱区。

12.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，其中该第三阱区与该第四阱区直接接触该埋藏层。