[发明专利]一种新型防弹芯片在审
| 申请号： | 201811298885.2 | 申请日： | 2018-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN109489486A | 公开（公告）日： | 2019-03-19 |
| 发明（设计）人： | 吴中伟;艾青松;方心灵;陈虹;刘元坤;许冬梅;虎龙;潘智勇 | 申请（专利权）人： | 北京航天雷特机电工程有限公司;北京航天试验技术研究所 |
| 主分类号： | F41H5/04 | 分类号： | F41H5/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100074 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 防弹 芯片 芳纶 聚乙烯无纬布 安全裕度 防弹性能 个体防护 缓冲阻尼 芯片产品 防凹陷 作战 制备 军警 试验 | ||
1.一种新型防弹芯片，所述防弹芯片其特征在于由以下结构组成；
a)由多层0°芳纶无纬布/90°高强度聚乙烯无纬布材料组成；
b)有多层芳纶无纬布防凹陷材料组成；
c)由1层缓冲阻尼材料组成。
2.按照权利要求1所述的防弹芯片，其特征在于：
所述的a)0°芳纶无纬布/90°高强度聚乙烯无纬布材料面密度为150～190g/m2多层芳纶无纬布层叠组成。
3.按照权利要求2所述的0°芳纶无纬布/90°高强度聚乙烯无纬布材料，其特征在于：
所述的无纬布采用水性聚异戊二烯胶粘剂通过添加聚氨酯胶粘剂及纳米二氧化钛，经织造形成0°芳纶无纬布/90°高强度聚乙烯无纬布材料。
4.按照权利要求3所述0°芳纶无纬布/90°高强度聚乙烯无纬布材料，其特征在于：
所述的水性聚异戊二烯胶粘剂、聚氨酯胶粘剂及纳米二氧化钛浆料的质量比为100∶20～40∶5～15。其中所述的纳米二氧化钛平均粒径为30nm，纳米二氧化钛含量≥40％。
5.按照权利要求1所述的防弹芯片，其特征在于：
所述芳纶无纬布防凹陷材料为2层或3层芳纶单向无纬布组成，结构为0°/90°或0°/90°/0°。在140～160℃热压，压力为5～10MPa下热压而成。
6.按照权利要求5所述芳纶无纬布防凹陷材料，其特征在于：
所述的芳纶无纬布防凹陷2层面密度为190～210g/m2，3层面密度为285～315g/m2。
7.按照权利要求1所述的防弹衣芯片结构，其特征在于：
所述c)缓冲阻尼材料为硅胶发泡板，厚度为3～6mm，邵氏硬度为50度。
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