[发明专利]一种制备多晶硅薄膜的装置和方法

说明书

本发明公开了一种制备多晶硅薄膜的装置和方法，属于多晶硅薄膜生产技术领域，本发明公开了一种制备多晶硅薄膜的装置，包括放置架、偏移杆、支撑底座和支撑柱，放置架上侧设有准分子激光器激发出位置固定的脉冲激光束，放置架上通过螺纹杆一连接放置板，放置架下侧铰接偏移杆，偏移杆铰接螺纹连接螺纹杆一的滑块一，放置架通过滑动柱和固定柱导向固定连接支撑底座，支撑底座通过U型钢板连接支撑柱，支撑柱内设有行走轮；本发明还公开了上述制备多晶硅薄膜的装置的使用方法，本发明的制备多晶硅薄膜的装置和方法大大提高了制备多晶硅薄膜的效率，使用时可以配合不同型号的准分子激光器进行处理不同大小的玻璃基板，且可快速激光对焦。

技术领域

本发明涉及多晶硅薄膜制备技术领域，具体是一种制备多晶硅薄膜的装置和方法。

背景技术

现有技术中通常使用玻璃作为平板显示器的基板，由于玻璃基板耐高温性能较差，很难利用化学气相沉积（英文全称为 Chemical Vapor Deposition，简称 CVD）等方法直接生长多晶硅薄膜。因此，在显示技术领域，通常先利用对玻璃基板温度要求较低的等离子增强化学气相沉积（PECVD）在基板上形成非晶硅薄膜，玻璃基板上是非晶硅，其需要经过清洗剂 ( 如氢氟酸 HF) 进行清洗，将玻璃基板表面的硅膜洗干净，其中氢氟酸用于将玻璃基板上的毛刺洗掉，玻璃基板经过氢氟酸清洗剂清洗完后，使用清洁干燥的空气 (CDA，Clean Dry Air) 将玻璃基板上的药液吹掉，并且在在氢氟酸清洗后玻璃基板表层会形成一层氧化膜，再使用准分子激光退火设备使得非晶硅转化为多晶硅，即形成多晶硅薄膜；在使用准分子激光退火晶化的方法制得多晶硅薄膜时，是利用准分子激光器激发出脉冲激光束，激光束产生的高能量入射到非晶硅薄膜表面，仅在薄膜表层产生热能效应，使非晶硅薄膜表面瞬间产生高温，从而实现非晶硅向多晶硅的转变，但是在进行玻璃基板表面非晶硅激光转化时，由于准分子激光器固定不动，准分子激光器产生固定范围内的激光束，当需要进行激光高温退火处理的玻璃基板的宽度大于产生的激光束的长度，则需要进行多次对玻璃基板进行激光处理，需要操作人员进行人工重新安装，操作麻烦效率低，且在进行激光高温退火处理玻璃基板时，不能快速对玻璃基板进行激光对焦，且现有的制备多晶硅薄膜的装置结构复杂，不能适应不同类型的准分子激光器对玻璃基板进行激光高温退火处理。

发明内容

要解决的问题

针对现有现有的制备多晶硅薄膜的装置结构复杂，不能适应不同类型的准分子激光器对玻璃基板进行激光高温退火处理，且当玻璃基板的宽度大于激光束长度时，需再次人工进行调整进行激光处理，操作麻烦，效率低，进行激光高温退火处理不能对玻璃基板进行快速的激光对焦的问题，本发明的目的在于提供一种制备多晶硅薄膜的装置和方法，以解决上述背景技术中提出的问题。

技术方案

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：