[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及其制作方法

说明书

一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及其该制作方法。薄膜晶体管的制作方法包括：提供衬底基板；以及在衬底基板上形成薄膜晶体管的栅极、第一电极、第二电极和半导体层，所述栅极、所述第一电极和所述第二电极中的至少之一包括在垂直于所述衬底基板的方向上堆叠设置的N个部分，N个部分中相邻的两个部分互相接触，N为大于等于2的正整数；所述方法包括：通过N次构图工艺分别形成所述N个部分。采用该制作方法得到的薄膜晶体管的栅极、第一电极、第二电极以及信号线的尺寸精度较高。

技术领域

本公开至少一实施例涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及其制作方法。

背景技术

随着日益增长的产品需求，高精度显示，如8k(分辨率7680×4320)显示技术的技术开发显得尤为重要。在8k等高精度显示中，需要导线具有较大的排布密度，相邻导线将容易产生信号串扰和短路，影响信号的传输。当需要导线具有较小的电阻以增大导线中的电流以及提高信号传输速度时，例如增大导线的厚度以减小导线的电阻，导线厚度较厚时，制作导线的过程中，导线的尺寸误差较大，这会增大相邻导线产生信号串扰和短路的风险。

发明内容

本公开至少一实施例提供一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：栅极、第一电极、第二电极和半导体层，其中，所述第一电极、所述第二电极与所述半导体层电连接，所述栅极、所述第一电极和所述第二电极中的至少之一包括堆叠设置的N个部分，所述N个部分中相邻的两个部分互相接触，N为大于等于2的正整数。

例如，本公开至少一实施例提供的薄膜晶体管中，所述半导体层包括上表面、与所述上表面相交的第一侧面和第二侧面，所述第一侧面与所述第二侧面相对；所述第一电极与所述上表面以及所述第一侧面接触，所述第二电极与所述上表面以及所述第二侧面接触。

例如，本公开至少一实施例提供的薄膜晶体管设置于衬底基板上，所述薄膜晶体管还包括栅绝缘层，所述栅绝缘层包括：第一部分、第二部分和第三部分。所述第一部分位于所述栅极与所述半导体层之间以使所述栅极与所述半导体层绝缘，所述第一部分暴露所述半导体层的用于与所述第一电极和所述第二电极接触的所述上表面、所述半导体层的用于与所述第一电极接触的所述第一侧面以及所述半导体层的用于与所述第二电极接触的所述第二侧面；所述第二部分位于所述第一电极与所述衬底基板之间；所述第三部分位于所述第二电极与所述衬底基板之间。

本公开至少一实施例提供一种薄膜晶体管的制作方法，该方法包括：提供衬底基板；以及在衬底基板上形成薄膜晶体管的栅极、第一电极、第二电极和半导体层，所述栅极、所述第一电极和所述第二电极中的至少之一包括在垂直于所述衬底基板的方向上堆叠设置的N个部分，N个部分中相邻的两个部分互相接触，N为大于等于2的正整数；所述方法包括：通过N次构图工艺分别形成所述N个部分。

例如，本公开至少一实施例提供的薄膜晶体管的制作方法中，所述N个部分在垂直于衬底基板方向上的总厚度大于5500埃，并且所述N个部分中的每个部分在垂直于衬底基板方向上的厚度不超过5500埃。

例如，本公开至少一实施例提供的薄膜晶体管的制作方法中，利用同一掩模进行所述N次构图工艺。

例如，本公开至少一实施例提供的薄膜晶体管的制作方法中，所述栅极包括在垂直于所述衬底基板的方向上堆叠设置的N1个部分，所述第一电极包括在垂直于所述衬底基板的方向上堆叠设置的N2个部分，所述第二电极包括在垂直于所述衬底基板的方向上堆叠设置的N3个部分；N1、N2和N3均为大于等于2的正整数；沿从靠近衬底基板到远离衬底基板的方向，所述N1个部分依次为第一部分……第N1部分，所述N2个部分依次为第一部分……第N2部分，所述N3个部分依次为第一部分……第N3部分；利用同一掩模通过一次构图工艺同时形成栅极的第M1部分、第一电极的第M2部分、第二电极的第M3部分；M1为小于等于N1的正整数，M2为小于等于N2的正整数，M3为小于等于N3的正整数。