[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及其制作方法

权利要求书

1.一种顶栅型薄膜晶体管，包括：形成在衬底基板上的栅极、第一电极、第二电极和半导体层，其中，所述第一电极、所述第二电极与所述半导体层电连接，所述栅极、所述第一电极和所述第二电极中的至少之一包括堆叠设置的N个部分，所述N个部分中相邻的两个部分互相接触，N为大于等于2的正整数；

所述栅极与所述第一电极和所述第二电极的N个部分的各相应部分通过相同工艺和材料形成在相同层，

所述栅极包括在垂直于所述衬底基板的方向上堆叠设置的N₁个部分，所述第一电极包括在垂直于所述衬底基板的方向上堆叠设置的N₂个部分，所述第二电极包括在垂直于所述衬底基板的方向上堆叠设置的N₃个部分；N₁、N₂和N₃均为大于等于2的正整数；

沿从靠近衬底基板到远离衬底基板的方向，所述N₁个部分依次为第一部分……第N₁部分，所述N₂个部分依次为第一部分……第N₂部分，所述N₃个部分依次为第一部分……第N₃部分；

利用同一掩模通过一次构图工艺同时形成所述栅极的第M₁部分、所述第一电极的第M₂部分、所述第二电极的第M₃部分；M₁为等于N₁的正整数，M₂为等于N₂的正整数，M₃为等于N₃的正整数。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述半导体层包括上表面、与所述上表面相交的第一侧面和第二侧面，所述第一侧面与所述第二侧面相对；

所述第一电极与所述上表面以及所述第一侧面接触，所述第二电极与所述上表面以及所述第二侧面接触。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，设置于衬底基板上，所述薄膜晶体管还包括栅绝缘层，其中，所述栅绝缘层包括：

第一部分，位于所述栅极与所述半导体层之间以使所述栅极与所述半导体层绝缘，所述第一部分暴露所述半导体层的用于与所述第一电极和所述第二电极接触的所述上表面、所述半导体层的用于与所述第一电极接触的所述第一侧面以及所述半导体层的用于与所述第二电极接触的所述第二侧面；

第二部分，位于所述第一电极与所述衬底基板之间；以及

第三部分，位于所述第二电极与所述衬底基板之间。