[发明专利]半导体器件

说明书

公开了一种半导体器件。该半导体器件包括：第一电极，包括第一主部分、以及从第一主部分延伸的第一延伸部；以及介电层，围绕第一主部分的侧壁和底表面，其中，第一主部分包括具有第一深度的第一部分、和具有比第一深度深的第二深度的第二部分。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年11月21日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2017-0155586的优先权，其公开内容通过引用整体结合于此。

技术领域

本发明构思涉及一种半导体器件、半导体器件的布局设计方法以及制造半导体器件的方法。更具体地，本发明构思涉及包括电容器结构的半导体器件、半导体器件的布局设计方法以及制造半导体器件的方法。

背景技术

集成电路(IC)的制造需要在半导体基板上执行各种工艺。这些工艺包括晶片生产和在晶片板上构建电路(图案化)的步骤。可以减小由图案化产生的图案的宽度，以产生具有高集成度的半导体器件。多图案化是一类用于制造具有增强密度的IC的技术。然而，当图案的宽度减小得太大时，由多图案化产生的半导体器件的可靠性可能降低。

发明内容

本发明构思的至少一个实施例提供了一种具有改善的产品可靠性的半导体器件。

本发明构思的至少一个实施例提供了设计具有改善的颜色平衡的半导体器件的布局(例如，电路布局)的方法。

本发明构思的至少一个实施例提供了一种用于制造具有改善的产品可靠性的半导体器件的方法。

根据本发明构思的示例性实施例，提供了一种半导体器件，包括：第一电极，包括第一主部分、以及从第一主部分延伸的第一延伸部；以及介电层，围绕第一主部分的侧壁和底表面，其中，第一主部分包括具有第一深度的第一部分、和具有比第一深度深的第二深度的第二部分。

根据本发明构思的示例性实施例，提供了一种半导体器件，包括：第一电极，包括在第一方向上延伸的第一主部分、以及在与第一方向交叉的第二方向上从第一主部分延伸的第一延伸部；第二电极，包括在第二方向上延伸的第二延伸部；以及介电层，围绕第一主部分的侧壁和底表面，其中，第一主部分包括具有第一深度的第一部分，并且第二延伸部具有比第一深度浅的第二深度。

根据本发明构思的示例性实施例，提供了一种半导体器件，包括：第一电极，包括在第一方向上延伸的第一主部分、以及在与第一方向交叉的第二方向上从第一主部分延伸的多个第一延伸部；第二电极，包括在第二方向上延伸的多个第二延伸部；以及介电层，在每个第一延伸部与每个第二延伸部之间，其中，每个第一延伸部和每个第二延伸部沿第一方向交替地布置，第一主部分包括具有第一深度的多个第一部分、以及具有比第一深度深的第二深度的多个第二部分，并且第一主部分的每个第二部分在第二方向上与每个第二延伸部重叠。

根据本发明构思的示例性实施例，提供了一种用于制造半导体器件的方法。该方法包括：加载具有第一布局图案的电路布局，该第一布局图案包括在第一方向上延伸的第一主部分、以及在与第一方向交叉的第二方向上从第一主部分延伸的多个第一延伸部；以及通过分离第一布局图案以产生第一颜色图案和第二颜色图案来修改电路，其中，第一颜色图案包括作为多个第一延伸区之一的第一子延伸区、以及作为第一主区的连接到第一子延伸区的部分的第一子主区，并且第二颜色图案包括与第一子延伸区相邻的第二子延伸区、以及作为第一子延伸区的连接到第二子延伸区的部分的第二子主区。

根据本发明构思的示例性实施例，提供了一种用于制造半导体器件的方法。该方法包括：加载具有包括多个相邻的第一部分的第一布局图案的第一电路布局；修改第一电路布局，使得第一组第一部分具有第一颜色，第二组第一部分具有第二颜色。第一组与第二组交替。每个第一部分包括第一主部分和从第一主部分延伸的第一延伸部。

附图说明

通过参考附图详细描述本发明构思的示例性实施例，本发明构思将变得更明显，在附图中：