[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201811292443.7 | 申请日： | 2018-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN109817569A | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 李峻宁;安正勋 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L27/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 范心田 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 第一电极 介电层 延伸部 侧壁 延伸 | ||
1.一种半导体器件，包括：
第一电极，包括第一主部分和从所述第一主部分延伸的第一延伸部；以及
介电层，围绕所述第一主部分的侧壁和底表面，
其中，所述第一主部分包括具有第一深度的第一部分以及具有比所述第一深度深的第二深度的第二部分。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一延伸部具有比所述第二深度浅的第三深度。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，所述第一深度和所述第三深度基本相同。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
第二电极，包括第二主部分和从所述第二主部分延伸的第二延伸部，
其中，所述介电层将所述第一电极与所述第二电极电绝缘。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述介电层还围绕所述第二主部分的侧壁和底表面，并且
所述第二主部分包括具有第三深度的第三部分以及具有比所述第三深度深的第四深度的第四部分。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第二深度与所述第四深度基本相同。
7.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第一主部分和所述第二主部分在第一方向上延伸，并且
所述第一延伸部和所述第二延伸部在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸。
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第一主部分的第二部分在所述第二方向上延伸。
9.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第一主部分的第二部分在所述第二方向上与所述第二延伸部重叠。
10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一主部分还包括具有第三深度的第三部分，并且
所述第三深度与所述第一深度不同，并且比所述第二深度浅。
11.一种半导体器件，包括：
第一电极，包括在第一方向上延伸的第一主部分、以及在与所述第一方向交叉的第二方向上从所述第一主部分延伸的第一延伸部；
第二电极，包括在所述第二方向上延伸的第二延伸部；以及
介电层，围绕所述第一主部分的侧壁和底表面，
其中，所述第一主部分包括具有第一深度的第一部分，并且
所述第二延伸部具有比所述第一深度浅的第二深度。
12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述第一主部分还包括具有比所述第一深度浅的第三深度的第二部分。
13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，所述第一主部分的第一部分和第二部分沿所述第一方向交替地布置。
14.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，所述第二深度和所述第三深度基本相同。
15.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述第一主部分的第一部分在所述第二方向上与所述第二延伸部重叠。
16.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述第一主部分的第一部分在所述第二方向上与所述第一延伸部重叠。
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