[发明专利]微发光器件的转印系统及方法有效
申请号: | 201811291805.0 | 申请日: | 2018-10-31 |
公开(公告)号: | CN111129058B | 公开(公告)日: | 2022-05-27 |
发明(设计)人: | 田文亚;郭恩卿;黄飞;郭双 | 申请(专利权)人: | 成都辰显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L21/677 |
代理公司: | 广东君龙律师事务所 44470 | 代理人: | 丁建春 |
地址: | 611731 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 器件 系统 方法 | ||
本申请公开了一种微发光器件的转印系统及方法,转印系统包括:供给基板,供给基板的至少一表面设置有若干微发光器件;转印装置,转印装置包括传送头及针形转印头,针形转印头一端固定于传送头,另一端为自由端,针形转印头的自由端用于拾取微发光器件;接受基板,接受基板的至少一表面上设置有若干阵列排布的凹槽,凹槽用于容纳微发光器件。通过上述方式,能够实现微发光器件的巨量转移,提高微发光器件的生产效率。
技术领域
本申请涉及液晶显示领域,特别是涉及一种微发光器件的转印系统及方法。
背景技术
微发光二极管显示器是一种以在一个接受基板上集成的高密度微小尺寸的LED阵列作为显示像素实现图像显示的显示器,每一个像素可定址、单独驱动点亮,将像素点距离从毫米级降低至微米级,微发光二极管显示器和有机发光二极管显示器一样属于自发光显示器。
微转印技术是目前制备微发光二极管显示装置的主流方法,具体制备过程为:首先在蓝宝石接受基板生长出微发光二极管,然后通过激光剥离技术将微发光二极管芯片从蓝宝石接受基板上分离,键合到临时接受基板上,随后使用转印头将微发光二极管芯片从临时接受基板上吸附到接受基板预留的位置上,然后释放,即可完成将微发光二极管芯片转移到接受基板上,制得微发光二极管显示器。
目前的转印技术一般采用静电吸附或范得华力吸附进行转印,然而范得华力剥离时较难控制剥离效果;静电吸附需要对每个转印头进行导通,不仅复杂而且效果欠佳;还有通过真空吸附及分离的装置,设备操作过于复杂,不利于重复进行的高效转印。
发明内容
本申请提供一种微发光器件的转印方法及装置,能够解决现有技术中微发光器件转移时存在的定位不精准、吸附释放结构及操作复杂等问题。
本申请采用的一个技术方案是:提供一种微发光器件的转印系统,所述转印系统包括:供给基板,所述供给基板的至少一表面设置有若干所述微发光器件;转印装置,所述转印装置包括传送头及针形转印头,所述针形转印头一端固定于所述传送头,另一端为自由端,所述针形转印头的所述自由端用于拾取所述微发光器件;接受基板,所述接受基板的至少一表面上设置有若干阵列排布的凹槽,所述凹槽用于容纳所述微发光器件。
本申请采用的另一个技术方案是:提供一种微发光器件的转印方法,所述转印方法包括:准备转印装置、供给基板及接受基板,其中,所述接受基板的至少一表面上设置有若干阵列排布的凹槽;将所述转印装置的针形转印头对准所述供给基板的若干微发光器件并至少拾取部分所述微发光器件;将拾取有所述微发光器件的针形转印头和所述接受基板的所述凹槽进行对位,并将所述微发光器件放置于所述凹槽内;横向移动所述转印装置,以使得所述微发光器件和所述针形转印头分离,从而将所述微发光器件释放于所述凹槽内。
本申请的有益效果是:提供一种微发光器件的转印系统及方法,通过在接受基板的表面上设置若干容纳微发光器件的凹槽,在转印装置将微发光器件置于凹槽内时,结合针形转印头对微发光器件的剪切力以及凹槽侧壁对微发光器件的阻力,可以将微发光器件轻易释放,从而实现微发光器件的巨量转移,提高微发光器件的生产效率。进一步地,通过在凹槽底部或侧壁设置键合胶,通过转印装置对微发光器件上粘性胶的横向剪切力且结合凹槽底部键合胶黏附力以及凹槽侧壁的阻力三者共同作用,更有利于将微发光二极管轻易释放,从而进一步提高微发光器件的生产效率。
附图说明
图1是本申请微发光器件转移系统第一实施方式的结构示意图;
图2是本申请转印装置一实施方式的结构示意图;
图3是申请微发光器件转印系统第二实施方式的结构示意图;
图4是本申请转印装置另一实施方式的结构示意图;
图5是本申请微发光器件转印方法一实施方式的流程示意图;
图6是本申请微发光器件转印过程一实施方式的示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的