[发明专利]晶舟在审
| 申请号： | 201811291681.6 | 申请日： | 2018-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN111128814A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 李俋贤 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶舟 | ||
1.一种晶舟，包括第一预设数量个支撑柱，每个所述支撑柱上固定有第二预设数量个支撑件，其特征在于，所述支撑件包括：
第一支撑部，具有第一长度；
第三预设数量个第二支撑部，上表面为仅具有一个顶点的曲面，下表面与所述第一支撑部连接，所述下表面具有第二长度，所述第二长度小于所述第一长度。
2.如权利要求1所述的晶舟，其特征在于，所述第二支撑部是球形的一部分或椭球形的一部分。
3.如权利要求1所述的晶舟，其特征在于，所述第一支撑部的外边沿设置有遮挡沿，所述遮挡沿的高度不大于所述第二支撑部的高度。
4.如权利要求1所述的晶舟，其特征在于，所述第一支撑部远离所述支撑柱的一侧设置有遮挡沿。
5.如权利要求1～4任一项所述的晶舟，其特征在于，所述第三预设数量等于1。
6.如权利要求5所述的晶舟，其特征在于，还包括：
连接梁，与所述第一支撑部、所述第二支撑部、所述支撑柱连接，厚度不大于所述第二支撑部的高度。
7.如权利要求6所述的晶舟，其特征在于，所述连接梁的厚度与所述第一支撑部的厚度之和不小于2mm。
8.如权利要求5所述的晶舟，其特征在于，所述第一支撑部的下表面向上倾斜，上表面呈水平方向。
9.如权利要求5所述的晶舟，其特征在于，所述第一支撑部的上表面向上倾斜，所述第二支撑部为一个设置在所述第一支撑部远离所述支撑柱一侧的半球。
10.如权利要求1～4任一项所述的晶舟，其特征在于，所述第三预设数量大于1。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
