[发明专利]晶体管和移位寄存器在审

专利信息
申请号: 201811289752.9 申请日: 2018-10-31
公开(公告)号: CN110007503A 公开(公告)日: 2019-07-12
发明(设计)人: 佐佐木宁;村上祐一郎;古田成;山口尚宏 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: G02F1/1335 分类号: G02F1/1335;G02F1/1343;G02F1/1368;G09G3/20;G09G3/36;H01L29/786
代理公司: 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 代理人: 汪飞亚;习冬梅
地址: 日本国大*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 栅极电极 晶体管 移位寄存器 遮光膜 沟道 遮光 俯视观察 下层 孤立
【权利要求书】:

1.一种晶体管,其特征在于,包括:

沟道部;

第一导通电极;

第二导通电极;

多个控制电极;以及

多个遮光膜,其形成于所述多个控制电极的下层,在俯视观察下与所述多个控制电极的各控制电极分别独立地重叠,并且对所述沟道部进行遮光,而且电方面孤立。

2.一种移位寄存器,由用于驱动配置于显示装置的显示部的多根扫描线的多个段构成,其特征在于,

构成所述多个段的各段的单位电路包含多个晶体管,所述多个晶体管能够分为以较高的占空比控制导通、断开状态的第一组和以较低的占空比控制导通、断开状态的第二组,

仅所述第一组和所述第二组中的一者所包含的晶体管是权利要求1所述的晶体管。

3.根据权利要求2所述的移位寄存器,其特征在于,

在所述多个晶体管中,

以50%以上的占空比控制导通、断开状态的晶体管被分类为所述第一组,

以小于50%的占空比控制导通、断开状态的晶体管被分类为所述第二组。

4.根据权利要求2所述的移位寄存器,其特征在于,

仅所述第一组和所述第二组中的一者所包含的晶体管中的一部分晶体管是权利要求1所述的晶体管。

5.根据权利要求2所述的移位寄存器,其特征在于,

在所述第一组所包含的晶体管中,始终对控制电极施加正的偏压的n沟道型的晶体管是权利要求1所述的晶体管。

6.根据权利要求5所述的移位寄存器,其特征在于,

所述单位电路包括:

输出节点,其与所述多根扫描线中的一根扫描线连接;

输出控制晶体管,其包含于所述第二组中,具有控制电极、第一导通电极以及第二导通电极,时钟信号被赋予在第一导通电极,在所述输出节点连接有第二导通电极;

第一节点,其与所述输出控制晶体管的控制电极连接;

第一节点导通部,其具有包含于所述第二组中的晶体管,用于基于从其他段的输出节点输出的输出信号使所述第一节点的电平向导通电平变化;

分压晶体管,其包含于所述第一组中,具有控制电极、第一导通电极以及第二导通电极,导通电平电位被赋予在控制电极,在所述第一节点导通部连接有第一导通电极,在所述第一节点连接有第二导通电极;

输出节点断开晶体管,其包含于所述第一组中,具有控制电极、第一导通电极以及第二导通电极,在所述输出节点连接有第一导通电极,断开电平电位被赋予在第二导通电极;

第二节点,其与所述输出节点断开晶体管的控制电极连接;以及

第一节点断开晶体管,其包含于所述第一组中,具有控制电极、第一导通电极以及第二导通电极,在所述第二节点连接有控制电极,经由所述分压晶体管而在所述第一节点连接有第一导通电极,断开电平电位被赋予在第二导通电极,

仅所述分压晶体管是权利要求1所述的晶体管。

7.根据权利要求2所述的移位寄存器,其特征在于,

在所述第一组所包含的晶体管中,长期间向控制电极施加正的偏压的n沟道型的晶体管是权利要求1所述的晶体管。

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