[发明专利]一种M-BUS中继器在审
| 申请号： | 201811284388.7 | 申请日： | 2018-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN109104216A | 公开（公告）日： | 2018-12-28 |
| 发明（设计）人： | 李冬;李怡凡 | 申请（专利权）人： | 深圳市创仁科技有限公司 |
| 主分类号： | H04B3/36 | 分类号： | H04B3/36;H04L12/40 |
| 代理公司： | 深圳市博锐专利事务所 44275 | 代理人： | 张明 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市光*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 信号处理电路 上级设备 下级设备 中继器 输出端 输入端 传输 屏蔽 单向数据传输 逻辑门电路 传输信号 电路结构 干扰信号 数据传输 配合 保证 | ||
1.一种M-BUS中继器，所述中继器连接在上级设备与下级设备之间，其特征在于：包括第一信号处理电路和第二信号处理电路；
所述第一信号处理电路包括第一与非门、第一反相器、第二反相器、第一电阻、第一施密特与非门和第一电容，所述上级设备的TXD端通过所述第一反相器与所述第一与非门的输入端相连，所述上级设备的RXD端依次通过第一电阻、第一施密特与非门和所述第二反相器与所述第一与非门的另一输入端相连，所述第一与非门的输出端与所述下级设备的RX端相连，所述第一施密特与非门的另一输入端通过所述第一电容接地，所述第一二极管与所述第一电阻并联且所述第一二极管的负极与所述上级设备的TXD端相连；
所述第二信号处理电路包括第二与非门、第三反相器、第四反相器、第二电阻、第二施密特与非门和第二电容，所述下级设备的TX端通过所述第三反相器与所述第二与非门的输入端相连，所述下级设备的RX端依次通过第二电阻、第二施密与非门和所述第四反相器与所述第二与非门的另一输入端相连，所述第二与非门的输出端与所述上级设备的RXD端相连，所述第二施密特与非门的另一输入端通过第二电容接地，所述第二二极管与所述第二电阻并联且所述第二二极管的负极与所述下级设备的RX端相连。
2.根据权利要求1所述的M-BUS中继器，其特征在于：所述上级设备的TXD端输出高电平间歇期为所述第一电容的充电时间常数的1/10；所述下级设备的TX端输出高电平间歇期所述第二电容的充电常数的1/10。
3.根据权利要求2所述的M-BUS中继器，其特征在于：所述第一电容电容的充电时间常数为4.16毫秒，所述第一电阻的阻值为50千欧，所述第一电容的阻值为0.1微法；所述第二电容电容的充电时间常数为4.16毫秒，所述第二电阻的阻值为50千欧，所述第二电容的阻值为0.1微法。
4.根据权利要求1所述的M-BUS中继器，其特征在于：所述第一施密特与非门与所述第二施密特与非门均为CD4093施密特与非门。
5.根据权利要求1所述的M-BUS中继器，其特征在于：所述第一与非门为施密特与非门。
6.根据权利要求1所述的M-BUS中继器，其特征在于：所述第二与非门为施密特与非门。
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