[发明专利]一种测试夹具的散射参数提取方法

说明书

本发明适用于微波测量及校准技术领域，提供了一种测试夹具的散射参数提取方法，包括：根据被测微波功率器件的封装形式，制作不包括馈线的TRL校准件，并计算所述TRL校准件的传输矩阵参数；根据微波功率器件的封装形式及工作频段，制作测试夹具；将所述测试夹具与所述TRL校准件级联，并根据TRL校准件的传输矩阵参数计算测试夹具的散射参数。本发明能够利用已知散射参数的不包含馈线的TRL校准件夹具与测试夹具直接级联测试，可快速准确的提取测试夹具的散射参数，从而无需重新制作基于新测试夹具且包含馈线的TRL校准件，减小了测试夹具散射参数的误差。

技术领域

本发明属于微波测量及校准技术领域，尤其涉及一种测试夹具的散射参数提取方法。

背景技术

测试夹具是测试工程师得到封装微波功率器件微波特性的必要载体，有固定被测件、馈电、预匹配等功能。对于测试开发人员，只有得到被测器件实际端面的微波参数才有实际意义，这就要求必须实现测试夹具S参数(散射参数)的去嵌入。那么，如何提取准确的夹具S参数显得至关重要。

TRL校准作为精度较高的校准方法，TRL校准件具有设计简单的特点，因此被工程人员广泛应用微波测量校准。封装微波功率器件作为有源器件，直流偏置加电往往通过馈电线实现，但微波测试夹具S参数会受到馈电线以及旁路电容、去耦电容、隔直电容的影响；如果直接利用TRL校准件进行校准来提取测试夹具S参数，就要求制作的直通校准件Thru、延迟校准件Line和反射校准件Reflect的馈电线尺寸以及旁路电容、去耦电容位置和微波特性完全一致，才能保证夹具S参数提取的正确性；否则提取得到的夹具S参数将引入误差，进而传递给测试误差。

实际情况是，三个校准件的旁路电容、去耦电容的位置，电容本身的微波特性都会有所差别，因此通过TRL校准直接提取得到的夹具S参数必然存在误差。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种测试夹具的散射参数提取方法，以解决现有技术中通过TRL校准件直接提取得到的测试夹具S参数存在误差的问题。

本发明实施例提供了一种测试夹具的散射参数提取方法，包括：

根据被测微波功率器件的封装形式，制作不包括馈线的TRL校准件，并计算所述TRL校准件的传输矩阵参数；

根据微波功率器件的封装形式及工作频段，制作测试夹具；

将所述测试夹具与所述TRL校准件级联，并根据所述TRL校准件的传输矩阵参数计算所述测试夹具的散射参数。

本发明实施例与现有技术相比存在的有益效果是：本发明实施例根据被测微波功率器件的封装形式，制作不包括馈线的TRL校准件，并计算所述TRL校准件的传输矩阵参数；根据微波功率器件的封装形式及工作频段，制作测试夹具；将所述测试夹具与所述TRL校准件级联，并根据所述TRL校准件的传输矩阵参数计算所述测试夹具的散射参数。本发明实施例能够利用已知S参数的不包含馈线的TRL校准件夹具与测试夹具直接级联测试，可快速准确的提取测试夹具的S参数，从而无需重新制作基于新测试夹具且包含馈线的TRL校准件，减小了测试夹具S参数的误差。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例提供的一种测试夹具的散射参数提取方法的流程示意图；

图2是本发明实施例提供的图1中S101的实现流程示意图；

图3是本发明实施例提供的图2中S203的实现流程示意图；

图4是本发明实施例提供的图1中S103的实现流程示意图；