[发明专利]怀远白花玉石籽石榴无性快速培育方法在审
申请号: | 201811281703.0 | 申请日: | 2018-10-31 |
公开(公告)号: | CN109496840A | 公开(公告)日: | 2019-03-22 |
发明(设计)人: | 钱晶晶;胡友军;高青海 | 申请(专利权)人: | 安徽科技学院 |
主分类号: | A01H4/00 | 分类号: | A01H4/00 |
代理公司: | 北京科家知识产权代理事务所(普通合伙) 11427 | 代理人: | 陈娟 |
地址: | 233100 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 石榴 培养基 蔗糖 琼脂 玉石 快速培育 愈伤组织诱导 灭菌条件 生根诱导 外植体 茎段 茎尖 种苗 叶片 诱导 培育 | ||
1.一种怀远白花玉石籽石榴无性快速培育方法,其特征在于,包括如下步骤:
1)外植体选择及预处理:选择健壮的无病虫害玉石籽石榴的新生腋芽、嫩茎段及新生叶片,作为组织培养的外植体,用流水冲洗10min后采用10mg/L GA3浸泡30min后备用;
2)外植体接种:
腋芽接种:取上述GA3浸泡好的腋芽,用75%酒精浸泡30sec后移入超净工作台,在超净工作台上,先用无菌水冲洗3遍,再用解剖针剥去芽鳞,后用0.1%HgCl2消毒8min,无菌水冲洗5遍后切去腋芽下方木质部,接种于初代腋芽接种培养基上;
茎段接种:取上述GA3浸泡好的茎段用75%酒精浸泡30sec后移入超净工作台,在超净工作台上,先用无菌水冲洗3遍,后用0.1%HgCl2消毒5min,无菌水冲洗5遍,切长1.0-1.5cm、只含1个节点的茎段,接种在初代茎段培养基上;
叶片接种:取上述GA3浸泡好的叶片用75%酒精浸泡30sec后移入超净工作台,在超净工作台上,先用无菌水冲洗3遍,后用0.1%HgCl2消毒3min,无菌水冲洗5遍,将叶片切成1.0*1.0cm2小块,并将叶片背面划伤,将背面贴向培养基,接种于初代叶片接种培养基上;
3)增殖培养:上述腋芽接种25d、茎段接种20d、叶片接种40d后,将生长好外植体取切成1.5-2cm茎段,每段含有1-2个茎节,接种于增殖培养基中,在培养室培养35-40d;
4)生根培养:上述外植体增殖培养35-40d后,将外植体切除底部愈伤,然后接种于生根培养基中,在培养室培养45d;
5)炼苗:打开组培瓶盖,进行炼苗,炼苗时间为3-5d;
6)移栽:炼苗后,挑选健壮幼苗洗净根部培养基,移栽到基质育苗盘中,放置于温室中,光照为自然光照,温度为16-30℃,空气相对湿度70%,每日早晚于叶片上喷水,保持叶面及土壤湿润,每隔两周喷施稀释10倍WPM工作液,移栽30d后,大田种植。
2.根据权利要求1所述的怀远白花玉石籽石榴无性快速培育方法,其特征在于,所述步骤1)中外植体来源是怀远县石榴协会天榴坊基地。
3.根据权利要求1所述的怀远白花玉石籽石榴无性快速培育方法,其特征在于,步骤2)中外植体接种时间为3-9月份。
4.根据权利要求1所述的怀远白花玉石籽石榴无性快速培育方法,其特征在于,步骤2)中培养室的培养条件为:光照3000LX,温度24-26℃,光照时间12h/d,相对湿度在60%,培养时间为35-40d。
5.根据权利要求1所述的怀远白花玉石籽石榴无性快速培育方法,其特征在于,步骤2)中腋芽和嫩茎段的接种培养基成分如下:WPM培养基,1mg/L 6-BA,0.5g/L活性炭,20g蔗糖,5.5g琼脂,pH为6.2-6.5。
6.根据权利要求1所述的怀远白花玉石籽石榴无性快速培育方法,其特征在于,步骤2)叶片的接种培养基成分如下:MS培养基,0.8mg/L 6-BA,0.5mg/LNAA,0.5g/L活性炭,20g蔗糖,5.5g琼脂,pH为6.2-6.5。
7.根据权利要求1所述的怀远白花玉石籽石榴无性快速培育方法,其特征在于,步骤3)中增值培养的培养基成分如下:WPM培养基,0.8mg/L 6-BA,1.5g/L活性炭,20g蔗糖,5.5g琼脂,pH为6.2-6.5。
8.根据权利要求1所述的怀远白花玉石籽石榴无性快速培育方法,其特征在于,步骤4)中生根培养的培养基成分如下:WPM培养基+1mg/L IBA+20g蔗糖+5.5g琼脂,pH为6.2-6.5。
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